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FIB加工とSEM観察・EDS分析を繰り返し、取得した像をソフトウェアで再構築することで複合材料の情報を3次元的に得ることができ、欠陥や空孔を正確に把握できます･･･
硬Ｘ線光電子分光(HAXPES)は、これまで軟X線領域での測定が主流であった光電子分光を硬X線領域で行うことでバルク敏感な測定が可能となり飛躍的な進歩を遂げまし･･･
半導体プロセスにおいて、デバイス性能に大きな影響を与える金属汚染のコントロールは重要です。当社では、汚染源・汚染領域など詳細に把握するための汚染評価手法として、･･･
3次元X線顕微鏡により、非破壊で不具合箇所の状態を観察し、同箇所について高速FIBを用いて解析することにより、3次元での詳細な形状と元素分布を観察することができ･･･
各種デバイスにおける残留応力は、「剥がれ」や「割れ」などのトラブルを引き起こす要因になります。ラマン散乱分光では、μmオーダの空間分解能で応力分布を得ることが可･･･
二次イオン質量分析(SIMS)は、ppbレベルの極微量元素を同定・定量できる非常に高感度な分析手法です。スパッタしながら測定することで、膜中の微量成分の深さ方向･･･
電子部品の配線・電極などの金属は、材料や梱包材、大気中に存在する硫黄系ガスにより腐食して不具合に至る可能性があります。特に銀は硫黄系ガスに対して敏感で、極微量の･･･
パワーMOSFETの故障解析には、不具合特性を維持しながら故障箇所を特定することが重要です。そのために、裏面からOBIRCH/PEM(EMS)で特定し、裏面から･･･
TSVは、Siを貫通するビアを形成しメタルを埋め込みます。このメタルの応力により酸化膜のクラックが発生し、リーク不良に至るケースがあります。EBSDで結晶粒ごと･･･
トランジスタの微細化に伴い寄生抵抗の増加が問題になっています。中でもソース/ドレインのNiSi/Si界面における界面抵抗が占める割合は大きく、近年ではシリサイド･･･
平坦部・ベベル部における他のウェーハからのクロスコンタミだけでなく、製品ウェーハや金属膜付きウェーハのウェーハ自身からのベベル汚染分析を可能にしました。金属膜・･･･
半導体やFPDなどの製造プロセスにおいて、プロセスに使用する様々な材料やガスの清浄化が求められます。高圧エア・CDA(クリーンドライエア)・N2やArガスなどの･･･
SiCデバイスはパワー半導体の中でも市場が大きく、今後も需要の拡大が見込まれています。 SiCデバイスでは製造工程において、結晶欠陥や、内部応力が発生することが･･･
SIMS分析において、高濃度層から下層膜への不純物拡散を評価する際には、表面の凹凸やスパッタエッチングに伴い、高濃度層からのクレーターエッジ効果やノックオンの影･･･
FT-IR(フーリエ変換赤外分光)を用いると分子内の結合情報を得ることができます。 イメージングIRは、特定の結合について2次元の分布を得ることができ、材料中の･･･
今後、普及が見込まれているSiCパワーデバイスも、Siデバイスと同様の手法で故障解析を行うことができます。 ここでは、ESD試験で破壊した SiC MOSFET･･･
化学分析は、材料や不具合箇所の組成、不純物、デガスおよび熱特性などを明らかにすることができます。パッケージング技術開発や工程トラブルなどにおいて、目的に適した分･･･
FinFET(Fin Field-effect transistor)の微細構造をTEMと3DAP(3次元アトムプローブ)を用いて複合的に解析した事例をご紹介し･･･
半導体デバイス・FPDのプロセスにおいて、有機汚染が品質に影響を及ぼすことから、環境中の微量有機成分の清浄度管理が求められています。当社では、目的に応じた評価の･･･
温度サイクル試験(TCT)は、電子部品の外部環境あるいは自己発熱により、温度が繰り返し変化する環境を想定し、温度変化による熱ストレスを与えて耐性を確認する環境試･･･
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