半導体

二次イオン質量分析(SIMS)

二次イオン質量分析(SIMS)は、ppbレベルの極微量元素を同定・定量できる非常に高感度な分析手法です。スパッタしながら測定することで、膜中の微量成分の深さ方向･･･

微小部特異成分のイメージングIRによる分析

FT-IR(フーリエ変換赤外分光)を用いると分子内の結合情報を得ることができます。 イメージングIRは、特定の結合について2次元の分布を得ることができ、材料中の･･･

SiC化合物半導体の故障解析

今後、普及が見込まれているSiCパワーデバイスも、Siデバイスと同様の手法で故障解析を行うことができます。 ここでは、ESD試験で破壊したSiC MOSFETの･･･

TSV中メタルのEBSD測定

TSVは、Siを貫通するビアを形成しメタルを埋め込みます。このメタルの応力により酸化膜のクラックが発生し、リーク不良に至るケースがあります。EBSDで結晶粒ごと･･･

3DAPとTEMによるFinFETデバイスの分析

FinFET(Fin Field-effect transistor)の微細構造をTEMと3DAP(3次元アトムプローブ)を用いて複合的に解析した事例をご紹介し･･･

半導体の表面形状評価手法

レーザ顕微鏡・触針式段差計・AFMは、それぞれ原理が異なる表面形状を測定する技術です。各手法の非接触・広視野、高精度接触測定の特徴を活用し、材料や用途に応じた最･･･

製造プロセス環境の有機汚染評価

半導体デバイス・FPDのプロセスにおいて、有機汚染が品質に影響を及ぼすことから、環境中の微量有機成分の清浄度管理が求められています。当社では、目的に応じた評価の･･･

電子部品の温度サイクル試験

温度サイクル試験(TCT)は、電子部品の外部環境あるいは自己発熱により、温度が繰り返し変化する環境を想定し、温度変化による熱ストレスを与えて耐性を確認する環境試･･･

高濃度層から下層膜への不純物拡散評価

SIMS分析において、高濃度層から下層膜への不純物拡散を評価する際には、表面の凹凸やスパッタエッチングに伴い、高濃度層からのクレーターエッジ効果やノックオンの影･･･

3次元アトムプローブ　デモンストレーション

STEMと3DAPによるSiC MOSFET複合分析

SiCデバイスの需要は近年高まっており、SiCデバイスを開発する上で結晶欠陥やドーパント元素分布の評価は重要です。今回STEM観察と3DAP分析を同一試料で実施･･･

半導体パッケージのための化学分析

化学分析は、材料や不具合箇所の組成、不純物、デガスおよび熱特性などを明らかにすることができます。パッケージング技術開発や工程トラブルなどにおいて、目的に適した分･･･

3DAPによるSi酸化膜中のナノ粒子分析

3DAP(3次元アトムプローブ)は、ナノサイズの微小構造を分析することができるツールです。Si酸化膜中のナノ粒子の大きさなどについて、3次元的に定量分析・評価す･･･

リソグラフィ工程の品質維持・改善

半導体製造工程の心臓部であるリソグラフィ工程の品質を維持・改善するための評価技術をご提供します。特に装置内および装置を設置するクリーンルーム環境は、高い清浄度が･･･

表面実装部品のはんだ耐熱性試験

表面実装部品の防湿梱包からリフローまでをシミュレートし、熱ストレス耐性を評価します。

高濃度マトリックス中に含まれる微量成分の分析

TOF-SIMSは、高感度で有機、無機成分の情報を得ることができます。しかし、高感度のため、高濃度成分(たとえばバルク)が検出器に入ってしまうと、検出器が飽和し･･･

実装基板・パッケージ評価・解析サービス

故障発生状況の把握・外観観察・電気特性の取得後に、まず、非破壊で観察して不具合箇所を特定します。次に、試料の特性に合わせた試料作製を行い、不具合箇所を観察・分析･･･

車載向け半導体デバイスの信頼性評価試験

車載向け半導体デバイスの信頼性評価試験では、AEC-Q100、AEC-Q101に準拠した試験にご対応します。

3次元FIB-SEM(EDS)解析

FIB加工とSEM観察、EDS分析を繰り返し、取得した像をソフトウェアで再構築することで複合材料の情報を3次元的に得ることができ、欠陥や空孔を正確に把握できます･･･

3DAP・STEM・SIMSによるLED複合分析

化合物半導体は、発光デバイスや電子デバイスなどに幅広く用いられています。これらデバイスの開発において、構造・界面急峻性・結晶欠陥・不純物の分布や濃度などの制御は･･･