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ゲート電極/ゲート絶縁膜界面の不純物の分布や結合状態などを調べるためには1nm以下の深さ方向分解能が必要とされます。このような場合、裏面(ゲート絶縁膜側)からの・・・
二次イオン質量分析(SIMS)は、ppbレベルの極微量不純物元素を同定・定量できる非常に高感度な分析手法です。 スパッタリングしながら測定するため、膜中の不純物・・・
カード型デバイス中の薄型集積回路チップ、パワー半導体素子、裏面入射型撮像素子などでは大口径ウェーハを薄研削加工することが多く、その残留応力がデバイスに与える影響・・・
SIMS分析において、高濃度層から下層膜への不純物拡散を評価する際には、表面の凹凸やスパッタエッチングに伴い、高濃度層からのクレーターエッジ効果やノックオンの影・・・
トランジスタの微細化に伴い寄生抵抗の増加が問題になっています。中でもソース/ドレインのNiSi/Si界面における界面抵抗が占める割合は大きく、近年ではシリサイド・・・
TOF-SIMSは、高感度で有機、無機成分の情報を得ることができます。しかし、高感度のため、高濃度成分(たとえばバルク)が検出器に入ってしまうと、検出器が飽和し・・・
FinFET(Fin Field-effect transistor)の微細構造をTEMと3DAP(3次元アトムプローブ)を用いて複合的に解析した事例をご紹介し・・・
二次イオン質量分析(SIMS)は、全元素に対して高感度かつ高質量分解能測定での深さ方向分析が可能です。さらに当社では、試料導入から分析までの自動化機能を加え、高・・・
3DAP(3次元アトムプローブ)は、ナノサイズの微小構造を分析することができるツールです。Si酸化膜中のナノ粒子の大きさなどについて、3次元的に定量分析・評価す・・・
SCMは半導体のキャリア分布を2次元で可視化できる手法で、SPMの応用の一つです。
TEM/STEMは高分解能観察が可能であり、構造解析や結晶欠陥の観察・解析などに有用です。一方、局所的、3次元的な元素分布について、3DAP(3次元アトムプロー・・・
FIB加工とSEM観察・EDS分析を繰り返し、取得した像をソフトウェアで再構築することで複合材料の情報を3次元的に得ることができ、欠陥や空孔を正確に把握できます・・・
薄膜X線回折は、数nmレベルの薄膜の結晶構造同定に加え、X線反射率測定による多層膜の膜密度・膜厚・粗さの解析も可能です。
TSVは、Siを貫通するビアを形成しメタルを埋め込みます。このメタルの応力により酸化膜のクラックが発生し、リーク不良に至るケースがあります。EBSDで結晶粒ごと・・・
電子デバイスは様々な特性から選択した異種材料が一体化して形成されており、異種材料間の接合技術が重要な鍵を握ります。 3次元のFIB-SEM/EDS・EBSD・ラ・・・
強磁性半導体において磁気特性に強く影響する磁性元素のクラスタリング分布を3DAP(3次元アトムプローブ)を用いて分析します。
走査型マイクロ波インピーダンス顕微鏡(sMIM)は、半導体のキャリア分布を2次元で可視化できる手法で、SPMの応用の一つです。
当社で所有するプラズマFIB〔TESCAN SOLARIS X(Xeビーム加工)〕を用いたGaフリー加工において、SiC拡散層観察での有用性が確認できました。へ・・・
EELSはEDSと異なり、元素情報だけではなく、元素の結合状態も判断することができます。LSIのコンタクト不良で観察された銅配線間の高抵抗箇所(コンタクト近傍)・・・
封止樹脂に含まれる成分が変化して、リード電極などを腐食し不具合に至る場合があります。タブレットやパッケージ製品から封止樹脂を取り出して各試験を行うことにより、腐・・・
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