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二次イオン質量分析(SIMS)は、全元素に対して高感度かつ高質量分解能測定での深さ方向分析が可能です。さらに当社では、試料導入から分析までの自動化機能を加え、高･･･
SiC MOSFET構造では、特性改善のためn基板とnドリフト層の間に数百nmオーダのnバッファ層が挿入されることがあります。nバッファ層の評価では、深さ方向分･･･
Ti酸化物のXPS分析では、内殻準位や価電子帯(Valence)スペクトルのピーク位置・スペクトル形状・サテライトの位置から酸化状態を調べることが可能です。 こ･･･
ウェーハベベル部の成分評価は一般的にTEMやTOF-SIMSで行われていますが、既存の手法ではいずれも感度や定量に制限があり、微量の成分評価は困難とされてきまし･･･
X線光電子分光(XPS)は、数nmレベルの極表面の組成分析が行える表面分析手法です。 また、材料を構成する各元素の電子状態(化学結合・価数・混成・電子相関)も･･･
TOF-SIMSは最表面を高感度に測定ができる表面分析方法として知られていますが、先端デバイスや先端材料の評価に対し多くの課題があります。当社独自の分析手法によ･･･
ゲート電極/ゲート絶縁膜界面の不純物の分布や結合状態などを調べるためには1nm以下の深さ方向分解能が必要とされます。このような場合、裏面(ゲート絶縁膜側)からの･･･
SIMSによる深さ方向分析では、試料表面近傍の浅い領域においてスパッタ率が試料内部よりも高いために、クレーター深さから換算した場合の深さ軸は真値からのずれを生じ･･･
銅は電気伝導性・熱伝導率・耐食性や加工性に優れているため、身の回りの製品から電気や電子部品などの工業製品まで幅広く活用されています。その一方で、酸化によって変色･･･
飛行時間型二次イオン質量分析(TOF-SIMS)は、極表面に存在する無機・有機成分を分子レベルで高感度に評価できる手法で、マッピング分析や深さ方向分析が可能です･･･
酸化膜の形成プロセスにおいて、酸化膜厚の制御は最も重要な項目の1つです。そこで、光電子分光を用いて表面酸化膜の膜厚を非破壊で見積りました。
鋭利な切刃で極めて穏やかな勾配の斜面を作製する「高精度斜め切削技術」とTOF-SIMS分析を組み合わせることにより、数十nm～数百nmといった薄膜の深さ方向分析･･･
カード型デバイス中の薄型集積回路チップ、パワー半導体素子、裏面入射型撮像素子などでは大口径ウェーハを薄研削加工することが多く、その残留応力がデバイスに与える影響･･･
GMR素子やMTJ素子(磁性金属多層膜を含むスピントロニクス素子)は、HDD装置の磁気ヘッドやMRAMへの実用化が進んでいます。このような磁気抵抗素子の特性は、･･･
硬Ｘ線光電子分光(HAXPES)は、これまで軟X線領域での測定が主流であった光電子分光を硬X線領域で行うことでバルク敏感な測定が可能となり飛躍的な進歩を遂げまし･･･
二次イオン質量分析(SIMS)は、ppbレベルの極微量元素を同定・定量できる非常に高感度な分析手法です。スパッタしながら測定することで、膜中の微量成分の深さ方向･･･
SiCやGaNといった化合物半導体においては、結晶欠陥が多く含まれており、素子特性に大きな影響を与えます。放射光を用いたトポグラフィー評価により、高い分解能で4･･･
SIMS分析において、高濃度層から下層膜への不純物拡散を評価する際には、表面の凹凸やスパッタエッチングに伴い、高濃度層からのクレーターエッジ効果やノックオンの影･･･
X線光電子分光(XPS)は、表面の組成・状態分析が可能であり、表面分析では不可欠な手法です。ラボ型XPS(Al Kα：1.5keV)では、3nm程度の極表面の評･･･
TOF-SIMSは、高感度で有機、無機成分の情報を得ることができます。しかし、高感度のため、高濃度成分(たとえばバルク)が検出器に入ってしまうと、検出器が飽和し･･･
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