リソグラフィ工程の品質維持・改善Controlling the Quality of Lithography Processes

半導体製造工程の心臓部であるリソグラフィ工程の品質を維持・改善するための評価技術をご提供します。特に装置内および装置を設置するクリーンルーム環境は、高い清浄度が要求され、個別の環境・清浄度評価が必要となります。
当社は、これらのお客様のニーズに応じた評価技術をご提供します。

露光装置周辺のケミカル成分評価

露光装置周辺のケミカル成分評価

薬液の成分や含有濃度により分析手法が異なります。

工程で発生する問題とサンプリング箇所 (1) (2) (3) (4) (5) (6) (7) (8) (9)
光学系照度劣化
(レンズ/ミラー・フォトマスク)
       
レジスト塗布ムラ・形状不良(T-top)・
剥がれ
   
液浸溶液の汚染      
ケミカルフィルター能力低下      
循環水汚染・漏洩          
装置外ケミカル成分持ち込み  
搬送系汚染(ケミカル・パーティクル)      

対象成分

  • イオン成分(NH4・SO4・アミン類・有機酸など)
  • 有機成分(炭化水素・油分・シロキサンなど)
  • 金属類

サンプリング

  • 大気-固体捕集、液体捕集
  • ウェーハ・フォトマスク表面回収
  • ガス・液体など直接捕集

測定方法

  • イオンクロマトグラフィー(IC)
  • ガスクロマトグラフィー質量分析(GC/MS)
  • ICP質量分析(ICP-MS)

[ 更新日:2022/03/30 ]

分析に関するお問い合わせ

お問い合わせ

よくあるご質問

依頼に関するお問い合わせ

入力フォームはこちらから

電話番号・メールアドレス

トップに戻る