分析技術別分類 | 内容 | 主要設備 |
---|---|---|
ナノ構造解析 | 微細加工 | イオンミリング、ダイシングソー、FIB |
形状観察 | OM、SEM、低加速SEM、TEM、STEM、SPM、ALD | |
構造解析 | XRD、TEM | |
元素分析 | STEM(EDS・EELS) | |
3次元元素分析 | 3DAP(APT) | |
歪み解析 | TEM | |
表面分析 | 元素分析 | XPS、EPMA、HAXPES、TOF-SIMS |
結合状態分析 | XPS | |
深さ方向分析 | SIMS、XPS | |
定量分析 | SIMS | |
薄膜物性評価 | 構造解析 | XRD、XRR、SAXS、Raman |
ガス分析 | TDS、TPD/MS | |
FPD・電子部品・材料分析 | 構造解析 | TEM |
表面分析 | XPS、EPMA、HAXPES、TOF-SIMS | |
深さ方向分析 | SIMS、XPS | |
非破壊観察 | 透過X線観察装置、SAM、SAT | |
形状観察 | OM、SEM、低加速SEM、TEM、STEM、AFM | |
元素分析 | SEM(EDS)、TEM(EDS)、EPMA、STEM(EDS・EELS) | |
分子構造解析 | FT-IR、GC/MS、Py-GC/MS、Raman、LC/TOF-MS | |
組成分析 | FT-IR、GC/MS、TG-DTA、TG-DTA/MS、HPLC/UV、HPLC/蛍光、IC、LC/MS/MS、SEC、ICP-OES、XRF | |
微量分析 | GC/MS、TOF-SIMS、HPLC/UV、HPLC/蛍光、LC/MS/MS、IC | |
ガス分析 | GC/MS、GC/FID、GC/FPD、GC/TCD、TG-DTA/MS、TDS、TPD/MS | |
熱物性評価 | TG-DTA、DSC、TMA | |
半導体解析 半導体パッケージ・実装解析 |
電気特性 | 半導体パラメータアナライザ、カーブトレーサ、パルスジェネレータ |
非破壊観察 | 透過X線観察装置、SAM、SAT、3次元X線顕微鏡 | |
故障箇所特定 | OBIRCH、PEM(EMS) | |
微細加工 | FIB、断面/表面研磨、ダイヤモンドワイヤーソー、イオンミリング(断面/表面) | |
形状観察 | OM、SEM、低加速SEM、TEM、STEM、AFM | |
元素分析 | SEM(EDS)、TEM(EDS)、EPMA | |
3次元元素分析 | 3DAP(APT) | |
拡散層観察 | SCM | |
信頼性・非破壊観察 | 信頼性試験 | 恒温試験槽(高温・低温)、恒温恒湿試験槽/温湿度サイクル試験槽、HAST槽、X線照射装置、温度サイクル試験槽(気槽式)、熱衝撃試験槽(液槽式)、急速温度変化試験槽、 リフロー装置、万能強度試験装置、曲げ試験装置 |
非破壊観察 | SAM、SAT、3次元X線顕微鏡、磁場顕微鏡 | |
クリーンルーム・プロセス評価 | GC/MS、IC、ICP-MS、SWA-GC/MS | |
無機化学分析 | 組成分析 | ICP-OES、XRF、IC |
ガス分析 | ガス分析(酸素・窒素/炭素・硫黄)、GC | |
微量分析 | ICP-MS、IC | |
有機化学分析 | 分子構造解析 | FT-IR、GC/MS、Py-GC/MS、Raman、LC/TOF-MS |
組成分析 | FT-IR、GC/MS、TG-DTA、TG-DTA/MS、HPLC/UV、HPLC/蛍光、IC、LC/MS/MS、SEC | |
微量分析 | GC/MS、TOF-SIMS、HPLC/UV、HPLC/蛍光、LC/MS/MS、IC | |
ガス分析 | GC/MS、GC/FID、GC/FPD、GC/TCD、TG-DTA/MS、TDS、TPD/MS | |
熱物性評価 | TG-DTA、DSC、TMA | |
環境安全化学分析 | 作業環境測定 | GC/FID、GC/TCD、LC/MS/MS、ICP-OES、ICP-MS、IC、カーボンエアロゾル装置 |
抗がん剤曝露調査 | LC/MS/MS、ICP-MS | |
封じ込め性能評価 | HPLC/ECD、LC/MS/MS | |
グリーン調達 | ED-XRF、ED-µXRF、GC/MS、ICP-OES、ICP-MS、LC/MS/MS |