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半導体製造工程における様々なプロセス評価を行うため、一定の濃度レベルに汚染したウェーハ(強制汚染ウェーハ)をご提供します。 目的に応じて、濃度・汚染方法・対象元・・・
平坦部・ベベル部における他のウェーハからのクロスコンタミだけでなく、製品ウェーハや金属膜付きウェーハのウェーハ自身からのベベル汚染分析を可能にしました。金属膜・・・・
半導体やFPDなどの製造プロセスにおいて、プロセスに使用する様々な材料やガスの清浄化が求められます。高圧エア・CDA(クリーンドライエア)・N2やArガスなどの・・・
半導体デバイス・FPDのプロセスにおいて、有機汚染が品質に影響を及ぼすことから、環境中の微量有機成分の清浄度管理が求められています。当社では、目的に応じた評価の・・・
半導体製造工程の心臓部であるリソグラフィ工程の品質を維持・改善するための評価技術をご提供します。特に装置内および装置を設置するクリーンルーム環境は、高い清浄度が・・・
装置内ではウェーハの搬送において、プロセスチャンバー内の汚染の引きずり、ウェーハ自体に含まれる電極などの金属、装置からのダストなどコンタミネーションを発生する汚・・・
半導体製造工程において、製品の品質や作業者の安全を確保するためには、使用する製造装置の性能や安全性を管理することが重要です。装置性能の維持や、装置導入・立ち上げ・・・
半導体プロセスにおいて、デバイス性能に大きな影響を与える金属汚染のコントロールは重要です。当社では、汚染源・汚染領域など詳細に把握するための汚染評価手法として、・・・
半導体・電子デバイスの高集積化に伴い、その製造工程では、より高い清浄度が求められています。シリコンウェーハ分析-ガスクロマトグラフィー質量分析(SWA-GC/M・・・
半導体デバイスの高集積化に伴い、製造工程は高い清浄度が求められています。特にクリーンルーム環境中や関連部材の極微量な不純物の制御、清浄度の評価が重要です。 当社・・・
半導体プロセスにおいて各工程ごとの汚染量を把握し、コントロールすることは重要です。 実際のプロセス/ウェーハでの金属元素の熱拡散挙動の評価、材料や部品から発生す・・・
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