FIB

多孔性軟質材料(紙)の断面観察事例

多孔質でかつ軟質な物質で構成された紙などの材料を観察する場合、一般的な断面作製方法の切断や研磨では、加工時の変形が大きく、観察に適さない場合があります。断面イオ･･･

電子デバイスは様々な特性から選択した異種材料が一体化して形成されており、異種材料間の接合技術が重要な鍵を握ります。 3次元のFIB-SEM/EDS・EBSD・ラ･･･

多孔質な材料の断面観察において、研磨などの手法では加工による応力の影響や研磨材の混入などのため、断面観察が鮮明ではありませんでした。断面イオンミリングの適用によ･･･

パワーMOSFETの故障解析には、不具合特性を維持しながら故障箇所を特定することが重要です。そのために、裏面からOBIRCH/PEM(EMS)で特定し、裏面から･･･

複雑な3次元形状に形成されたレジストパターンのできばえ評価において、熱に弱いレジストパターン試料を試料冷却機構と3軸イオン源を有するイオンミリング技術により、ダ･･･

当社で所有するプラズマFIB〔TESCAN SOLARIS X(Xeビーム加工)〕を用いたGaフリー加工において、SiC拡散層観察での有用性が確認できました。へ･･･

半導体デバイスの構造解析では、FIB/SEMで表面や断面を観察します。一般的には立体構造をした素子の一部分を切り出し、2次元の平板な画像を得ることで、どのような･･･

FIB加工とSEM観察・EDS分析を繰り返し、取得した像をソフトウェアで再構築することで複合材料の情報を3次元的に得ることができ、欠陥や空孔を正確に把握できます･･･

FIB加工とSEM観察、EDS分析を繰り返し、取得した像をソフトウェアで再構築することで複合材料の情報を3次元的に得ることができ、欠陥や空孔を正確に把握できます･･･

3次元X線顕微鏡により、非破壊で不具合箇所の状態を観察し、同箇所について高速FIBを用いて解析することにより、3次元での詳細な形状と元素分布を観察することができ･･･

FIBにより半導体デバイス試料を表面側から加工した場合、内部構造材料のイオンミリングレート差により加工面に凹凸が発生し、特に硬い材料の直下は試料膜厚が厚くなるな･･･

3DAP(3次元アトムプローブ)で測定を行うためには、分析対象となる試料を先端径数十nm程度に尖らせた針状に成形する必要があります。通常この針状試料作製は、･･･

集束イオンビーム(FIB:Focused Ion Beam)装置は、集束したイオンビームを試料に照射しスキャンさせることで、指定箇所の加工や観察が可能です。加工･･･

金属表面に腐食防止などを目的に形成されたコーティング膜(樹脂やセラミックス)を評価する際には、イオンミリングによる断面加工を施すことで、金属との接合状態や樹脂材･･･

集束イオンビーム(FIB:Focused Ion Beam)装置は、加工位置精度が良く特定箇所の試料作製が可能であることから、様々な製品や材料のTEM試料作製に･･･