サイトマップ
お問い合わせ
電話番号・メールアドレス
このページでは JavaScript を使用している部分があります。お使いのブラウザーがこれらの機能をサポートしていない場合、もしくは設定が「有効」となっていない場合は正常に動作しないことがあります。
FIB加工とSEM観察・EDS分析を繰り返し、取得した像をソフトウェアで再構築することで複合材料の情報を3次元的に得ることができ、欠陥や空孔を正確に把握できます･･･
半導体デバイスの構造解析では、FIB/SEMで表面や断面を観察します。一般的には立体構造をした素子の一部分を切り出し、2次元の平板な画像を得ることで、どのような･･･
TSVは、Siを貫通するビアを形成しメタルを埋め込みます。このメタルの応力により酸化膜のクラックが発生し、リーク不良に至るケースがあります。EBSDで結晶粒ごと･･･
走査電子顕微鏡(SEM)は、試料の表面に電子線を照射して観察することにより、微細な表面形状や組成、結晶方位を観察することができます。
FIB加工とSEM観察、EDS分析を繰り返し、取得した像をソフトウェアで再構築することで複合材料の情報を3次元的に得ることができ、欠陥や空孔を正確に把握できます･･･
原子間力顕微鏡(AFM : Atomic Force Microscope)はナノスケールの微小な表面形状を3次元で可視化・数値化できる手法です。
走査型マイクロ波インピーダンス顕微鏡(sMIM)は、半導体のキャリア分布を2次元で可視化できる手法で、SPMの応用の一つです。
SCMは半導体のキャリア分布を2次元で可視化できる手法で、SPMの応用の一つです。
半導体・電子デバイスのどこで故障したのか、製品がどんな工程でつくられたか、分子構造・結晶構造など、さまざまなあなたの『見たい!』にお応えします。
試料の内部をX線で透過して観察することにより、試料を分解することなく非破壊で観察できます。
パワーMOSFETの故障解析には、不具合特性を維持しながら故障箇所を特定することが重要です。そのために、裏面からOBIRCH/PEM(EMS)で特定し、裏面から･･･
受託分析サービス動画配信 随時更新します!
Webカタログ ダウンロード
論文
略語集
申込書・問い合わせ書 ダウンロード
よくあるご質問
依頼に関するお問い合わせ
入力フォームはこちらから
