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パワーデバイス

STEMと3DAPによるSiC MOSFET複合分析

SiCデバイスの需要は近年高まっており、SiCデバイスを開発する上で結晶欠陥やドーパント元素分布の評価は重要です。今回STEM観察と3DAP分析を同一試料で実施･･･

IGBTなどの大型試料からの切り出し、精細な断面加工後にマイクロ～ナノスケールでの結晶組織を観察することにより、応力集中箇所の調査や合金層の同定を行います。

SiCやGaNといった化合物半導体においては、結晶欠陥が多く含まれており、素子特性に大きな影響を与えます。放射光を用いたトポグラフィー評価により、高い分解能で4･･･

パワー半導体の普及に向け、低欠陥のSiCウェーハの開発が進められています。今回、SiCウェーハに形成されたエッチピットを3次元X線顕微鏡(X線CT)で観察した･･･

パワーMOSFETの故障解析には、不具合特性を維持しながら故障箇所を特定することが重要です。そのために、裏面からOBIRCH/PEM(EMS)で特定し、裏面から･･･

今後、普及が見込まれているSiCパワーデバイスも、Siデバイスと同様の手法で故障解析を行うことができます。ここでは、ESD試験で破壊した SiC MOSFET･･･

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