ICP-OES

高圧ガス中の不純物分析

半導体やFPDなどの製造プロセスにおいて、プロセスに使用する様々な材料やガスの清浄化が求められます。高圧エア・CDA(クリーンドライエア)・N2やArガスなどの･･･

強誘電体材料であるニオブ酸リチウム(LiNbO3)・タンタル酸リチウム(LiTaO3)は、優れた圧電特性・電気光学特性をもつ材料です。これらの組成および不純物量･･･

半導体製造工程の心臓部であるリソグラフィ工程の品質を維持・改善するための評価技術をご提供します。特に装置内および装置を設置するクリーンルーム環境は、高い清浄度が･･･

蛍光体の組成、賦活剤、不純物量は、当社独自の試料調製技術により、ICP-OESやICP-MSで定量が可能です。また、粒子内の成分分布はTOF-SIMSで分析が可･･･

セラミックス材料は、エレクトロニクス産業では高性能な絶縁体だけでなく、圧電体・超電導体・蛍光体などに幅広く用いられるようになり、高い品質や特性が要求されるように･･･

組成比のわずかな違いや不純物が、半導体や磁気記録媒体などに用いられる薄膜の特性に影響を及ぼすことがあります。化学分析の高い繰り返し精度を生かし、特性に影響する可･･･

装置内ではウェーハの搬送において、プロセスチャンバー内の汚染の引きずり、ウェーハ自体に含まれる電極などの金属、装置からのダストなどコンタミネーションを発生する汚･･･

半導体製造工程において、製品の品質や作業者の安全を確保するためには、使用する製造装置の性能や安全性を管理することが重要です。装置性能の維持や、装置導入・立ち上げ･･･

封止樹脂に含まれる成分が変化して、リード電極などを腐食し不具合に至る場合があります。タブレットやパッケージ製品から封止樹脂を取り出して各試験を行うことにより、腐･･･

半導体デバイスの高集積化に伴い、製造工程は高い清浄度が求められています。特にクリーンルーム環境中や関連部材の極微量な不純物の制御、清浄度の評価が重要です。当社･･･

ICP-OES(誘導結合プラズマ発光分光分析)は、材料中の元素分析に欠かせない装置です。マルチ型ICP-OESは、CCD検出器を使用し、高感度に多元素同時測定が･･･

2015年6月にRoHS2の禁止物質(制限物質)を定めた2011/65/EUのAnnexⅡに置き換える(EU)2015/863が公布され、フタル酸エステル4物質･･･

試料中に含まれるハロゲンや硫黄の含有量は、試料を加湿燃焼させて発生したガスを吸収液に捕集し、ICやICP-OESで分析します。この手法は公定法(JIS・JEIT･･･