半導体

FIB/SEM法による3次元構造観察

半導体デバイスの構造解析では、FIB/SEMで表面や断面を観察します。一般的には立体構造をした素子の一部分を切り出し、2次元の平板な画像を得ることで、どのような･･･

3次元アトムプローブ　デモンストレーション

SiC化合物半導体の故障解析

今後、普及が見込まれているSiCパワーデバイスも、Siデバイスと同様の手法で故障解析を行うことができます。 ここでは、ESD試験で破壊した SiC MOSFET･･･

熱履歴によるはんだの組織変化

電子部品の発熱による温度上昇や構成材料の熱膨張差によって、はんだ接合部に応力が発生しクラックが生じる可能性があります。 EBSDで結晶粒ごとの結晶方位やグレイン･･･

3DAPによるSi酸化膜中のナノ粒子分析

3DAP(3次元アトムプローブ)は、ナノサイズの微小構造を分析することができるツールです。Si酸化膜中のナノ粒子の大きさなどについて、3次元的に定量分析・評価す･･･

3DAPによるナノワイヤLED分析

コアシェル型ナノワイヤLEDは、n-GaNナノワイヤコアとそれを囲む発光層(MQWs)およびp-GaN層で構成される低電力・高出力の発光デバイスです。複雑な微小･･･

化学分析による薄膜の組成分析

組成比のわずかな違いや不純物が、半導体や磁気記録媒体などに用いられる薄膜の特性に影響を及ぼすことがあります。化学分析の高い繰り返し精度を生かし、特性に影響する可･･･

電子部品の温度サイクル試験

温度サイクル試験(TCT)は、電子部品の外部環境あるいは自己発熱により、温度が繰り返し変化する環境を想定し、温度変化による熱ストレスを与えて耐性を確認する環境試･･･

AFMによる微小表面粗さ測定

原子間力顕微鏡(AFM : Atomic Force Microscope)はナノスケールの微小な表面形状を3次元で可視化・数値化できる手法です。

実装基板・パッケージ評価・解析サービス

故障発生状況の把握・外観観察・電気特性の取得後に、まず、非破壊で観察して不具合箇所を特定します。次に、試料の特性に合わせた試料作製を行い、不具合箇所を観察・分析･･･

大型試料の切り出しとEBSD測定

IGBTなどの大型試料からの切り出し、精細な断面加工後にマイクロ～ナノスケールでの結晶組織を観察することにより、応力集中箇所の調査や合金層の同定を行います。

3DAP・STEM・SIMSによるLED複合分析

化合物半導体は、発光デバイスや電子デバイスなどに幅広く用いられています。これらデバイスの開発において、構造・界面急峻性・結晶欠陥・不純物の分布や濃度などの制御は･･･

異方性導電フィルムの剥離原因分析

LCDパネルなどの回路接続に用いられる異方性導電フィルム(ACF)は、剥離により接続がオープンする場合があります。基板表面の汚染やACFの硬化不足などの不具合現･･･

FOUP内汚染評価

装置内ではウェーハの搬送において、プロセスチャンバー内の汚染の引きずり、ウェーハ自体に含まれる電極などの金属、装置からのダストなどコンタミネーションを発生する汚･･･

表面実装部品のはんだ耐熱性試験

表面実装部品の防湿梱包からリフローまでをシミュレートし、熱ストレス耐性を評価します。

SCMによる半導体キャリア分布観察

SCMは半導体のキャリア分布を2次元で可視化できる手法で、SPMの応用の一つです。

X線光電子分光(XPS)

X線光電子分光(XPS)は、数nmレベルの極表面の組成分析が行える表面分析手法です。 また、材料を構成する各元素の電子状態(化学結合・価数・混成・電子相関)も･･･

3次元X線顕微鏡によるLED内部の蛍光体の粒度分布測定

LED内部の蛍光体を3次元的に可視化することで分布の偏りや粒径分布が確認できます。また、得られた3次元像を基に粒度分布解析をすることで、粒子の体積・表面積を統計･･･

3DAPとSTEMを用いた特定箇所の分析

TEM/STEMは高分解能観察が可能であり、構造解析や結晶欠陥の観察・解析などに有用です。一方、局所的、3次元的な元素分布について、3DAP(3次元アトムプロー･･･

STEM-EELSを用いた故障解析

EELSはEDSと異なり、元素情報だけではなく、元素の結合状態も判断することができます。LSIのコンタクト不良で観察された銅配線間の高抵抗箇所(コンタクト近傍)･･･