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アトムプローブ(3DAP)分析では、これまで測定が難しかった導電性の低い物質や有機物への適用が世界的に進められています。今回、ほぼ絶縁物に近い鉱物の3DAP分析･･･
LEDデバイスの発光中心である量子活性井戸層(MQW)は、Inドープ層が積層された構造で、各ドープ層のIn濃度や分布が発光特性へ大きな影響を及ぼすことが知られて･･･
3DAP(3次元アトムプローブ)は、微小領域において原子レベルの空間分解能と高い検出感度を有し、得られたデータから任意領域の抽出・解析を行うことで、鉄鋼などの結･･･
市販品セラミック焼結体(Al2O3)の粒界に着目し、偏析している元素やその量を3DAP(3次元アトムプローブ)を用いて評価しました。
駆動用磁石(ネオジム磁石)における厚さ数nmの粒界相に偏析する微量 元素を3DAP(3次元アトムプローブ)を用いて分析しました。
TEM/STEMは高分解能観察が可能であり、構造解析や結晶欠陥の観察・解析などに有用です。一方、局所的・3次元的な元素分布について、3DAP(3次元アトムプロー･･･
トランジスタの微細化に伴い寄生抵抗の増加が問題になっています。中でもソース/ドレインのNiSi/Si界面における界面抵抗が占める割合は大きく、近年ではシリサイド･･･
3DAP(3次元アトムプローブ)で測定を行うためには、分析対象となる試料を先端径数十nm程度に尖らせた針状に成形する必要があります。 通常この針状試料作製は、･･･
FinFET(Fin Field-effect transistor)の微細構造をTEMと3DAP(3次元アトムプローブ)を用いて複合的に解析した事例をご紹介し･･･
SiCデバイスの需要は近年高まっており、SiCデバイスを開発する上で結晶欠陥やドーパント元素分布の評価は重要です。今回STEM観察と3DAP分析を同一試料で実施･･･
3DAP(3次元アトムプローブ)はナノサイズの原子配置を分析することが可能で、EBSD(電子後方散乱回折)は微小なサブミクロン領域の結晶方位解析を行うことが可能･･･
3次元アトムプローブに関するQ&A
強磁性半導体において磁気特性に強く影響する磁性元素のクラスタリング分布を3DAP(3次元アトムプローブ)を用いて分析します。
3DAP(3次元アトムプローブ)は、ナノサイズの微小構造を分析することができるツールです。Si酸化膜中のナノ粒子の大きさなどについて、3次元的に定量分析・評価す･･･
コアシェル型ナノワイヤLEDは、n-GaNナノワイヤコアとそれを囲む発光層(MQWs)およびp-GaN層で構成される低電力・高出力の発光デバイスです。複雑な微小･･･
鉄鋼材料の物理特性を理解するうえで、各結晶における組成情報が重要だと考えられています。ステンレス鋼(SUS329)のα相(フェライト相)とγ相(オーステナイト相･･･
セラミックス材料の特性を理解する上で、ナノからマイクロまでマルチスケールでの評価が必要です。市販のセラミックス材料(Al2O3・ZrO2・AlN)について、3D･･･
化合物半導体は、発光デバイスや電子デバイスなどに幅広く用いられています。これらデバイスの開発において、構造・界面急峻性・結晶欠陥・不純物の分布や濃度などの制御は･･･
WebGLによる3DAPデモサイト操作説明
次世代の超電導体と期待されているNb3Alは積層欠陥を有し、欠陥部の組成が超電導特性に大きな影響を及ぼしていると考えられています。Nb3Alの積層欠陥における組･･･
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