ひずみ

Siウェーハのひずみ解析

カード型デバイス中の薄型集積回路チップ、パワー半導体素子、裏面入射型撮像素子などでは大口径ウェーハを薄研削加工することが多く、その残留応力がデバイスに与える影響･･･

SiCやGaNといった化合物半導体においては、結晶欠陥が多く含まれており、素子特性に大きな影響を与えます。放射光を用いたトポグラフィー評価により、高い分解能で4･･･

各種デバイスにおける残留応力は、「剥がれ」や「割れ」などのトラブルを引き起こす要因になります。ラマン散乱分光では、μmオーダの空間分解能で応力分布を得ることが可･･･

SiCデバイスはパワー半導体の中でも市場が大きく、今後も需要の拡大が見込まれています。 SiCデバイスでは製造工程において、結晶欠陥や、内部応力が発生することが･･･

電子部品の発熱による温度上昇や構成材料の熱膨張差によって、はんだ接合部に応力が発生しクラックが生じる可能性があります。 EBSDで結晶粒ごとの結晶方位やグレイン･･･

ラマン散乱分光は、赤外分光同様に有機、無機化合物の同定が可能な手法です。特に赤外分光に比べて空間分解能が高く、微小領域の応力・結晶性・欠陥などの評価が可能です･･･