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高温でのX線回折(XRD)は、各種材料の温度条件による相変化・化学反応・格子定数の変化を知るために有効な手段です。 nmオーダの極薄膜の結晶構造の変化をIn-･･･
銅は電気伝導性・熱伝導率・耐食性や加工性に優れているため、身の回りの製品から電気や電子部品などの工業製品まで幅広く活用されています。その一方で、酸化によって変色･･･
TOF-SIMSは最表面を高感度に測定ができる表面分析方法として知られていますが、先端デバイスや先端材料の評価に対し多くの課題があります。当社独自の分析手法によ･･･
X線反射率測定(XRR)は、臨界全反射角近傍でのX線の減衰や干渉縞のあるX線のプロファイルと計算で得られたプロファイルをフィッティングさせることで表面(界面)粗･･･
GMR素子やMTJ素子(磁性金属多層膜を含むスピントロニクス素子)は、HDD装置の磁気ヘッドやMRAMへの実用化が進んでいます。このような磁気抵抗素子の特性は、･･･
薄膜X線回折は、数nmレベルの薄膜の結晶構造同定に加え、X線反射率測定による多層膜の膜密度・膜厚・粗さの解析も可能です。
二次イオン質量分析(SIMS)は、ppbレベルの極微量不純物元素を同定・定量できる非常に高感度な分析手法です。 スパッタリングしながら測定するため、膜中の不純物･･･
X線光電子分光(XPS)は、表面の組成・状態分析が可能であり、表面分析では不可欠な手法です。ラボ型XPS(Al Kα：1.5keV)では、3nm程度の極表面の評･･･
SIMS分析において、高濃度層から下層膜への不純物拡散を評価する際には、表面の凹凸やスパッタエッチングに伴い、高濃度層からのクレーターエッジ効果やノックオンの影･･･
GaNデバイスにおいて、ゲート酸化膜への前工程由来成分(不純物)の拡散は、絶縁性不良の原因につながるため、その濃度分布や拡散源の特定が必要となります。今回当社で･･･
TOF-SIMSは、高感度で有機、無機成分の情報を得ることができます。しかし、高感度のため、高濃度成分(たとえばバルク)が検出器に入ってしまうと、検出器が飽和し･･･
SiC MOSFET構造では、特性改善のためn基板とnドリフト層の間に数百nmオーダのnバッファ層が挿入されることがあります。nバッファ層の評価では、深さ方向分･･･
二次イオン質量分析(SIMS)は、全元素に対して高感度かつ高質量分解能測定での深さ方向分析が可能です。さらに当社では、試料導入から分析までの自動化機能を加え、高･･･
ウェーハベベル部の成分評価は一般的にTEMやTOF-SIMSで行われていますが、既存の手法ではいずれも感度や定量に制限があり、微量の成分評価は困難とされてきまし･･･
半導体デバイスの故障解析の手順として、故障発生状況の調査、外観観察および電気特性を取得し、故障メカニズムを推測します。次に、非破壊検査や故障特定を行なった後、さ･･･
SIMSによる深さ方向分析では、試料表面近傍の浅い領域においてスパッタ率が試料内部よりも高いために、クレーター深さから換算した場合の深さ軸は真値からのずれを生じ･･･
Ti酸化物のXPS分析では、内殻準位や価電子帯(Valence)スペクトルのピーク位置・スペクトル形状・サテライトの位置から酸化状態を調べることが可能です。 こ･･･
飛行時間型二次イオン質量分析(TOF-SIMS)は、極表面に存在する無機・有機成分を分子レベルで高感度に評価できる手法で、マッピング分析や深さ方向分析が可能です･･･
X線光電子分光(XPS)は、数nmレベルの極表面の組成分析が行える表面分析手法です。 また、材料を構成する各元素の電子状態(化学結合・価数・混成・電子相関)も･･･
鋭利な切刃で極めて穏やかな勾配の斜面を作製する「高精度斜め切削技術」とTOF-SIMS分析を組み合わせることにより、数十nm～数百nmといった薄膜の深さ方向分析･･･
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