高濃度層から下層膜への不純物拡散評価Evaluation of Impurity Diffusion from High-Concentration Layer to Underlayer Film
SIMS分析において、高濃度層から下層膜への不純物拡散を評価する際には、表面の凹凸やスパッタエッチングに伴い、高濃度層からのクレーターエッジ効果やノックオンの影響を受けることがあります。
これらの影響を受けない評価方法として、基板側からSIMS分析を行うバックサイドSIMS(Backside SIMS)があります。今回、Backside SIMSによりFが添加されたSiO2膜(FSG膜)から下層SiO2膜へのFの拡散分布を評価しました。