ナノ構造解析

3DAPのQ&A

3次元アトムプローブに関するQ&A

3次元アトムプローブ　デモンストレーション

3DAPとSTEMを用いた特定箇所の分析

TEM/STEMは高分解能観察が可能であり、構造解析や結晶欠陥の観察・解析などに有用です。一方、局所的、3次元的な元素分布について、3DAP(3次元アトムプロー･･･

鉱物のアトムプローブ分析

アトムプローブ(3DAP)分析では、これまで測定が難しかった導電性の低い物質や有機物への適用が世界的に進められています。今回、ほぼ絶縁物に近い鉱物の3DAP分析･･･

高感度STEM/EDSと3DAPによるLED解析

LEDデバイスの発光中心である量子活性井戸層(MQW)は、Inドープ層が積層された構造で、各ドープ層のIn濃度や分布が発光特性へ大きな影響を及ぼすことが知られて･･･

3次元アトムプローブ(3DAP)

3DAP(3次元アトムプローブ)は、微小領域において原子レベルの空間分解能と高い検出感度を有し、得られたデータから任意領域の抽出・解析を行うことで、鉄鋼などの結･･･

3DAPによるセラミックス材料の粒界分析

市販品セラミック焼結体(Al2O3)の粒界に着目し、偏析している元素やその量を3DAP(3次元アトムプローブ)を用いて評価しました。

3DAPによる駆動用磁石分析

駆動用磁石(ネオジム磁石)における厚さ数nmの粒界相に偏析する微量 元素を3DAP(3次元アトムプローブ)を用いて分析しました。

3DAPによるGaNエッチピット直下転位の分析

TEM/STEMは高分解能観察が可能であり、構造解析や結晶欠陥の観察・解析などに有用です。一方、局所的・3次元的な元素分布について、3DAP(3次元アトムプロー･･･

3DAPによる強磁性半導体の分析

強磁性半導体において磁気特性に強く影響する磁性元素のクラスタリング分布を3DAP(3次元アトムプローブ)を用いて分析します。

3DAPによるNiSi/Si接合の低抵抗化の解析

トランジスタの微細化に伴い寄生抵抗の増加が問題になっています。中でもソース/ドレインのNiSi/Si界面における界面抵抗が占める割合は大きく、近年ではシリサイド･･･

FIBによる裏面加工法

FIBにより半導体デバイス試料を表面側から加工した場合、内部構造材料のイオンミリングレート差により加工面に凹凸が発生し、特に硬い材料の直下は試料膜厚が厚くなるな･･･

3DAPによるナノワイヤLED分析

コアシェル型ナノワイヤLEDは、n-GaNナノワイヤコアとそれを囲む発光層(MQWs)およびp-GaN層で構成される低電力・高出力の発光デバイスです。複雑な微小･･･

3DAPとTEMによるFinFETデバイスの分析

FinFET(Fin Field-effect transistor)の微細構造をTEMと3DAP(3次元アトムプローブ)を用いて複合的に解析した事例をご紹介し･･･

原子層堆積法によるTEM解析試料作製

原子層堆積法(ALD: Atomic Layer Deposition)は、1原子層ずつ成膜する技術です。 当社では主にTEM観察におけるナノ構造解析の保護膜･･･

低加速電圧走査電子顕微鏡

低加速電圧走査電子顕微鏡は、電子線の加速エネルギーを下げることで二次電子の脱出深さを極浅くし、薄膜や表面汚染をより鮮明に観察することができます。また、低加速電圧･･･

3DAPとEBSDによる鉄鋼材料の分析

3DAP(3次元アトムプローブ)はナノサイズの原子配置を分析することが可能で、EBSD(電子後方散乱回折)は微小なサブミクロン領域の結晶方位解析を行うことが可能･･･

FIB加工による3DAP分析用試料作製

3DAP(3次元アトムプローブ)で測定を行うためには、分析対象となる試料を先端径数十nm程度に尖らせた針状に成形する必要があります。 通常この針状試料作製は、･･･

STEM-EELSを用いた故障解析

EELSはEDSと異なり、元素情報だけではなく、元素の結合状態も判断することができます。LSIのコンタクト不良で観察された銅配線間の高抵抗箇所(コンタクト近傍)･･･

3DAPによるSi酸化膜中のナノ粒子分析

3DAP(3次元アトムプローブ)は、ナノサイズの微小構造を分析することができるツールです。Si酸化膜中のナノ粒子の大きさなどについて、3次元的に定量分析・評価す･･･