半導体パッケージのための化学分析Chemical Analysis for Semiconductor Package

化学分析は、材料や不具合箇所の組成、不純物、デガスおよび熱特性などを明らかにすることができます。パッケージング技術開発や工程トラブルなどにおいて、目的に適した分析手法をご提案し課題解決をご支援します。

半導体パッケージのための化学分析メニュー

対象 課題・分析 分析手法
樹脂 樹脂からのアウトガス GC/MS・TPD/MS・TG-DTA/MS
樹脂の組成・添加剤の分析 FT-IR・GC/MS・ICP・LC/MS
樹脂から水や溶媒へ溶出する成分 IC・ICP・GC/MS・LC/MS
樹脂とフレームの剥離・樹脂中のボイド FT-IR・TOF-SIMS・Raman・TPD/MS
樹脂の熱物性評価 TMA・DSC・TG-DTA
フレーム リードフレームの組成・不純物 ICP
リードフレームのめっき厚の非破壊測定 ED-XRF
はんだ はんだの組成・不純物 IC・ICP・GC/MS・LC/MS
実装基板 実装基板上の異物・剥離・シミ・ボイド FT-IR・TOF-SIMS・Raman
実装基板上のフラックス残渣 LC/MS・IC

事例 基板に見られたシミの発生源調査

基板に見られたシミの発生源調査

目視検査で実装基板上にシミが確認されました。このシミをFT-IRで分析したところ、トリフェニルホスフィンオキシドが検出されました。モールド樹脂はFT-IR分析からノボラック系のエポキシ樹脂と同定されました。
このことから、シミの発生源として添加剤が疑われ、樹脂を加熱してGC/MSで分析したところ、トリフェニルホスフィンオキシドを検出しました。リフローなどの高温工程で添加剤が気化し、シミになったと推測されます。

FT-IR分析

FT-IR分析

GC/MS分析

GC/MS分析

[ 更新日:2022/03/30 ]

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