ラマンによるSiCデバイスの応力分布評価Raman Mapping of Stress Distributions in SiC Devices
SiCデバイスはパワー半導体の中でも市場が大きく、今後も需要の拡大が見込まれています。
SiCデバイスでは製造工程において、結晶欠陥や、内部応力が発生することがあります。ラマン散乱分光では、μmオーダの空間分解能で応力分布を捉えることができ、上記異常の評価に有用な手法です。今回はSiCデバイスのトレンチ構造近傍の応力分布を評価した事例をご紹介します。