ウェーハ

ウェーハベベル部の拭き取り法による微量金属分析

平坦部・ベベル部における他のウェーハからのクロスコンタミだけでなく、製品ウェーハや金属膜付きウェーハのウェーハ自身からのベベル汚染分析を可能にしました。金属膜・･･･

半導体デバイス・FPDのプロセスにおいて、有機汚染が品質に影響を及ぼすことから、環境中の微量有機成分の清浄度管理が求められています。当社では、目的に応じた評価の･･･

蛍光X線分析は、X線を試料に照射して試料原子を励起し､元素特有の蛍光X線を検出して構成元素の種類と含有率を分析する方法です。非破壊で迅速に分析でき、精度も高く、･･･

半導体製造工程において、製品の品質や作業者の安全を確保するためには、使用する製造装置の性能や安全性を管理することが重要です。装置性能の維持や、装置導入・立ち上げ･･･

半導体プロセスにおいて、デバイス性能に大きな影響を与える金属汚染のコントロールは重要です。当社では、汚染源・汚染領域など詳細に把握するための汚染評価手法として、･･･

半導体・電子デバイスの高集積化に伴い、その製造工程では、より高い清浄度が求められています。シリコンウェーハ分析-ガスクロマトグラフィー質量分析(SWA-GC/M･･･

半導体製造工程における様々なプロセス評価を行うため、一定の濃度レベルに汚染したウェーハ(強制汚染ウェーハ)をご提供します。目的に応じて、濃度・汚染方法・対象元･･･

トリプル四重極型ICP質量分析装置(ICP-MS/MS)は、シングル四重極型ICP質量分析装置(ICP-QMS)よりもスペクトル干渉除去能力が向上され、試料溶液･･･

ICP質量分析(ICP-MS)は、試料溶液中に含まれる微量な金属成分を一斉分析できる元素分析装置です。エアロゾル化された試料はアルゴンプラズマにてイオン化した後･･･