構造解析

磁性金属多層膜の組成・状態分析

GMR素子やMTJ素子(磁性金属多層膜を含むスピントロニクス素子)は、HDD装置の磁気ヘッドやMRAMへの実用化が進んでいます。このような磁気抵抗素子の特性は、･･･

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プラズマFIB加工によるSiCデバイスの拡散層観察

当社で所有するプラズマFIB〔TESCAN SOLARIS X(Xeビーム加工)〕を用いたGaフリー加工において、SiC拡散層観察での有用性が確認できました。へ･･･

二次イオン質量分析(SIMS)

二次イオン質量分析(SIMS)は、ppbレベルの極微量不純物元素を同定・定量できる非常に高感度な分析手法です。スパッタリングしながら測定するため、膜中の不純物･･･

GaNゲート酸化膜の不純物分析

GaNデバイスにおいて、ゲート酸化膜への前工程由来成分(不純物)の拡散は、絶縁性不良の原因につながるため、その濃度分布や拡散源の特定が必要となります。今回当社で･･･

高濃度層から下層膜への不純物拡散評価

SIMS分析において、高濃度層から下層膜への不純物拡散を評価する際には、表面の凹凸やスパッタエッチングに伴い、高濃度層からのクレーターエッジ効果やノックオンの影･･･

SiC nバッファ層の窒素濃度分析

SiC MOSFET構造では、特性改善のためn基板とnドリフト層の間に数百nmオーダのnバッファ層が挿入されることがあります。nバッファ層の評価では、深さ方向分･･･

高機能自動化SIMS

二次イオン質量分析(SIMS)は、全元素に対して高感度かつ高質量分解能測定での深さ方向分析が可能です。さらに当社では、試料導入から分析までの自動化機能を加え、高･･･

LC/MSによるリポソームの組成分析

製剤の品質管理として、リポソームの脂質組成や不純物成分の把握が求められています。今回、リポソームにおける構成成分の組成および保管期間による経時変化を把握するこ･･･

TSVの3次元構造解析

FIB加工とSEM観察・EDS分析を繰り返し、取得した像をソフトウェアで再構築することで複合材料の情報を3次元的に得ることができ、欠陥や空孔を正確に把握できます･･･

3次元FIB-SEM(EDS)解析

FIB加工とSEM観察、EDS分析を繰り返し、取得した像をソフトウェアで再構築することで複合材料の情報を3次元的に得ることができ、欠陥や空孔を正確に把握できます･･･

あなたの『見たい!』にお応えします

半導体・電子デバイスのどこで故障したのか、製品がどんな工程でつくられたか、分子構造・結晶構造など、さまざまなあなたの『見たい!』にお応えします。

LC/MSによるフラーレン誘導体中不純物の解析

フラーレンおよびその誘導体は、その電気特性・熱的特性から、有機薄膜太陽電池・燃料電池・電子材料分野・半導体など多くの分野での応用が期待されています。一方で、P･･･

液体クロマトグラフィー飛行時間型質量分析

液体クロマトグラフィー飛行時間型質量分析(LC/TOF-MS)では、微量有機成分の定性・定量が可能です。分子イオンの精密質量数が分かることから、組成演算により、･･･

浅い不純物注入プロファイルの精確な評価

SIMSによる深さ方向分析では、試料表面近傍の浅い領域においてスパッタ率が試料内部よりも高いために、クレーター深さから換算した場合の深さ軸は真値からのずれを生じ･･･

X線光電子分光(XPS)

X線光電子分光(XPS)は、数nmレベルの極表面の組成分析が行える表面分析手法です。また、材料を構成する各元素の電子状態(化学結合・価数・混成・電子相関)も･･･

TOF-SIMS分析の微小・凹凸表面への応用

TOF-SIMSは最表面を高感度に測定ができる表面分析方法として知られていますが、先端デバイスや先端材料の評価に対し多くの課題があります。当社独自の分析手法によ･･･

ゲート電極/酸化膜界面の不純物分析裏面研磨技術を用いたXPS分析(Backside XPS)

ゲート電極/ゲート絶縁膜界面の不純物の分布や結合状態などを調べるためには1nm以下の深さ方向分解能が必要とされます。このような場合、裏面(ゲート絶縁膜側)からの･･･