サイトマップ
お問い合わせ
このページでは JavaScript を使用している部分があります。お使いのブラウザーがこれらの機能をサポートしていない場合、もしくは設定が「有効」となっていない場合は正常に動作しないことがあります。
半導体デバイスの構造解析では、FIB/SEMで表面や断面を観察します。一般的には立体構造をした素子の一部分を切り出し、2次元の平板な画像を得ることで、どのような･･･
酸化膜の形成プロセスにおいて、酸化膜厚の制御は最も重要な項目の1つです。そこで、光電子分光を用いて表面酸化膜の膜厚を非破壊で見積りました。
GaNデバイスにおいて、ゲート酸化膜への前工程由来成分(不純物)の拡散は、絶縁性不良の原因につながるため、その濃度分布や拡散源の特定が必要となります。今回当社で･･･
電子部品の発熱による温度上昇や構成材料の熱膨張差によって、はんだ接合部に応力が発生しクラックが生じる可能性があります。 EBSDで結晶粒ごとの結晶方位やグレイン･･･
TEM/STEMは高分解能観察が可能であり、構造解析や結晶欠陥の観察・解析などに有用です。一方、局所的・3次元的な元素分布について、3DAP(3次元アトムプロー･･･
コアシェル型ナノワイヤLEDは、n-GaNナノワイヤコアとそれを囲む発光層(MQWs)およびp-GaN層で構成される低電力・高出力の発光デバイスです。複雑な微小･･･
封止樹脂に含まれる成分が変化して、リード電極などを腐食し不具合に至る場合があります。タブレットやパッケージ製品から封止樹脂を取り出して各試験を行うことにより、腐･･･
半導体デバイスやFPDの故障解析では、故障発生状況の把握、外観観察および電気特性取得の後、故障メカニズムの推測を行います。次に故障箇所の特定を行い、表面または断･･･
原子間力顕微鏡(AFM : Atomic Force Microscope)はナノスケールの微小な表面形状を3次元で可視化・数値化できる手法です。
フォトマスクのコンタミネーションは装置内の雰囲気や部品などにより発生し、ウェーハ上に欠陥として転写され不具合の原因となります。この原因を特定するためにはコンタミ･･･
SiC MOSFET構造では、特性改善のためn基板とnドリフト層の間に数百nmオーダのnバッファ層が挿入されることがあります。nバッファ層の評価では、深さ方向分･･･
IGBTなどの大型試料からの切り出し、精細な断面加工後にマイクロ～ナノスケールでの結晶組織を観察することにより、応力集中箇所の調査や合金層の同定を行います。
トリプル四重極型ICP質量分析装置(ICP-MS/MS)は、シングル四重極型ICP質量分析装置(ICP-QMS)よりもスペクトル干渉除去能力が向上され、試料溶液･･･
LCDパネルなどの回路接続に用いられる異方性導電フィルム(ACF)は、剥離により接続がオープンする場合があります。基板表面の汚染やACFの硬化不足などの不具合現･･･
半導体・電子デバイスの高集積化に伴い、その製造工程では、より高い清浄度が求められています。シリコンウェーハ分析-ガスクロマトグラフィー質量分析(SWA-GC/M･･･
基板実装のできばえ調査、接合性、その他不良に関する解析をご提供します。
SCMは半導体のキャリア分布を2次元で可視化できる手法で、SPMの応用の一つです。
カード型デバイス中の薄型集積回路チップ、パワー半導体素子、裏面入射型撮像素子などでは大口径ウェーハを薄研削加工することが多く、その残留応力がデバイスに与える影響･･･
ウェーハベベル部の成分評価は一般的にTEMやTOF-SIMSで行われていますが、既存の手法ではいずれも感度や定量に制限があり、微量の成分評価は困難とされてきまし･･･
はんだボールやボンディングなどのできばえを様々な手法で調査し、形状や接合の確認およびクラックなどの不具合に発展する可能性がある要因の有無を確認します。
受託分析サービス動画配信 随時更新します!
Webカタログ ダウンロード
論文
略語集
申込書・問い合わせ書 ダウンロード
よくあるご質問
依頼に関するお問い合わせ
入力フォームはこちらから
