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トリプル四重極型ICP質量分析装置(ICP-MS/MS)は、シングル四重極型ICP質量分析装置(ICP-QMS)よりもスペクトル干渉除去能力が向上され、試料溶液･･･
EELSはEDSと異なり、元素情報だけではなく、元素の結合状態も判断することができます。LSIのコンタクト不良で観察された銅配線間の高抵抗箇所(コンタクト近傍)･･･
半導体・電子デバイスの高集積化に伴い、その製造工程では、より高い清浄度が求められています。シリコンウェーハ分析-ガスクロマトグラフィー質量分析(SWA-GC/M･･･
基板実装のできばえ調査、接合性、その他不良に関する解析をご提供します。
ICチップ内の多層配線やSi基板の故障箇所を特定するために、SEMで電位コントラスト(PVC)の違いを観察します。
カード型デバイス中の薄型集積回路チップ、パワー半導体素子、裏面入射型撮像素子などでは大口径ウェーハを薄研削加工することが多く、その残留応力がデバイスに与える影響･･･
ウェーハベベル部の成分評価は一般的にTEMやTOF-SIMSで行われていますが、既存の手法ではいずれも感度や定量に制限があり、微量の成分評価は困難とされてきまし･･･
はんだボールやボンディングなどのできばえを様々な手法で調査し、形状や接合の確認およびクラックなどの不具合に発展する可能性がある要因の有無を確認します。
SiCやGaNといった化合物半導体においては、結晶欠陥が多く含まれており、素子特性に大きな影響を与えます。放射光を用いたトポグラフィー評価により、高い分解能で4･･･
SIMSによる深さ方向分析では、試料表面近傍の浅い領域においてスパッタ率が試料内部よりも高いために、クレーター深さから換算した場合の深さ軸は真値からのずれを生じ･･･
半導体デバイスの高集積化に伴い、製造工程は高い清浄度が求められています。特にクリーンルーム環境中や関連部材の極微量な不純物の制御、清浄度の評価が重要です。 当社･･･
実装部品の故障解析技術として、適切なサンプル作製を行い3次元X線顕微鏡(X線CT)を用いて破壊箇所の状態を非破壊で観察した事例と、その不具合箇所を断面解析にて詳･･･
レイヤー解析とは、ICチップ内の各層(レイヤー)の観察と除去を繰り返して、異常の有無を確認する手法です。
半導体製造工程における様々なプロセス評価を行うため、一定の濃度レベルに汚染したウェーハ(強制汚染ウェーハ)をご提供します。 目的に応じて、濃度・汚染方法・対象元･･･
不具合モデルに適した解析手法の立案および、断面・表面解析・分析を行います。
脆弱な材料、剥離発生品や複合材料などの断面観察を正確に行うため、試料の特性に合わせた作製手法をご提案します。
パワー半導体の普及に向け、低欠陥のSiCウェーハの開発が進められています。 今回、SiCウェーハに形成されたエッチピットを3次元X線顕微鏡(X線CT)で観察した･･･
高温でのX線回折(XRD)は、各種材料の温度条件による相変化・化学反応・格子定数の変化を知るために有効な手段です。 nmオーダの極薄膜の結晶構造の変化をIn-･･･
半導体プロセスにおいて各工程ごとの汚染量を把握し、コントロールすることは重要です。 実際のプロセス/ウェーハでの金属元素の熱拡散挙動の評価、材料や部品から発生す･･･
電子デバイスは様々な特性から選択した異種材料が一体化して形成されており、異種材料間の接合技術が重要な鍵を握ります。 3次元のFIB-SEM/EDS・EBSD・ラ･･･
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