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硬X線光電子分光(HAXPES)は、これまで軟X線領域での測定が主流であった光電子分光を硬X線領域で行うことでバルク敏感な測定が可能となり飛躍的な進歩を遂げまし・・・
半導体やFPDなどの製造プロセスにおいて、プロセスに使用する様々な材料やガスの清浄化が求められます。高圧エア・CDA(クリーンドライエア)・N2やArガスなどの・・・
各種デバイスにおける残留応力は、「剥がれ」や「割れ」などのトラブルを引き起こす要因になります。ラマン散乱分光では、μmオーダの空間分解能で応力分布を得ることが可・・・
二次イオン質量分析(SIMS)は、全元素に対して高感度かつ高質量分解能測定での深さ方向分析が可能です。さらに当社では、試料導入から分析までの自動化機能を加え、高・・・
電子部品の配線・電極などの金属は、材料や梱包材、大気中に存在する硫黄系ガスにより腐食して不具合に至る可能性があります。特に銀は硫黄系ガスに対して敏感で、極微量の・・・
パワーMOSFETの故障解析には、不具合特性を維持しながら故障箇所を特定することが重要です。そのために、裏面からOBIRCH/PEM(EMS)で特定し、裏面から・・・
走査型マイクロ波インピーダンス顕微鏡(sMIM)は、半導体のキャリア分布を2次元で可視化できる手法で、SPMの応用の一つです。
トランジスタの微細化に伴い寄生抵抗の増加が問題になっています。中でもソース/ドレインのNiSi/Si界面における界面抵抗が占める割合は大きく、近年ではシリサイド・・・
LEDに使用される各種蛍光体粒子において、蛍光発光させた状態で顕微鏡観察を行い、各色蛍光体粒子の分布状態や発光色ごとの蛍光体粒子の成分が確認できます。
半導体デバイス・FPDのプロセスにおいて、有機汚染が品質に影響を及ぼすことから、環境中の微量有機成分の清浄度管理が求められています。当社では、目的に応じた評価の・・・
SiCデバイスはパワー半導体の中でも市場が大きく、今後も需要の拡大が見込まれています。 SiCデバイスでは製造工程において、結晶欠陥や、内部応力が発生することが・・・
半導体デバイスの故障解析の手順として、故障発生状況の調査、外観観察および電気特性を取得し、故障メカニズムを推測します。次に、非破壊検査や故障特定を行なった後、さ・・・
FT-IR(フーリエ変換赤外分光)を用いると分子内の結合情報を得ることができます。 イメージングIRは、特定の結合について2次元の分布を得ることができ、材料中の・・・
今後、普及が見込まれているSiCパワーデバイスも、Siデバイスと同様の手法で故障解析を行うことができます。 ここでは、ESD試験で破壊した SiC MOSFET・・・
半導体・電子デバイスのどこで故障したのか、製品がどんな工程でつくられたか、分子構造・結晶構造など、さまざまなあなたの『見たい!』にお応えします。
FinFET(Fin Field-effect transistor)の微細構造をTEMと3DAP(3次元アトムプローブ)を用いて複合的に解析した事例をご紹介し・・・
強磁性半導体において磁気特性に強く影響する磁性元素のクラスタリング分布を3DAP(3次元アトムプローブ)を用いて分析します。
半導体製造工程の心臓部であるリソグラフィ工程の品質を維持・改善するための評価技術をご提供します。特に装置内および装置を設置するクリーンルーム環境は、高い清浄度が・・・
温度サイクル試験(TCT)は、電子部品の外部環境あるいは自己発熱により、温度が繰り返し変化する環境を想定し、温度変化による熱ストレスを与えて耐性を確認する環境試・・・
半導体デバイスの構造解析では、FIB/SEMで表面や断面を観察します。一般的には立体構造をした素子の一部分を切り出し、2次元の平板な画像を得ることで、どのような・・・
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