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鉄鋼材料の物理特性を理解するうえで、各結晶における組成情報が重要だと考えられています。ステンレス鋼(SUS329)のα相(フェライト相)とγ相(オーステナイト相･･･
次世代の超電導体と期待されているNb3Alは積層欠陥を有し、欠陥部の組成が超電導特性に大きな影響を及ぼしていると考えられています。Nb3Alの積層欠陥における組･･･
X線光電子分光(XPS)は、表面の組成・状態分析が可能であり、表面分析では不可欠な手法です。ラボ型XPS(Al Kα：1.5keV)では、3nm程度の極表面の評･･･
強磁性半導体において磁気特性に強く影響する磁性元素のクラスタリング分布を3DAP(3次元アトムプローブ)を用いて分析します。
蛍光X線分析は、X線を試料に照射して試料原子を励起し､元素特有の蛍光X線を検出して構成元素の種類と含有率を分析する方法です。非破壊で迅速に分析でき、精度も高く、･･･
イオンクロマトグラフィー(IC)は、溶液中のイオン成分を短時間で一斉分析ができます。イオン成分をイオン交換樹脂との親和力の差によって分離し、電気伝導度もしくは吸･･･
半導体プロセスにおいて、デバイス性能に大きな影響を与える金属汚染のコントロールは重要です。当社では、汚染源・汚染領域など詳細に把握するための汚染評価手法として、･･･
ICP-OES(誘導結合プラズマ発光分光分析)は、材料中の元素分析に欠かせない装置です。マルチ型ICP-OESは、CCD検出器を使用し、高感度に多元素同時測定が･･･
金属・セラミックス・ナノマテリアル材料中に含まれる酸素・窒素・炭素・硫黄は、材料の特性に大きく影響を及ぼすことが知られています。酸素・窒素分析/炭素・硫黄分析装･･･
駆動用磁石(ネオジム磁石)における厚さ数nmの粒界相に偏析する微量 元素を3DAP(3次元アトムプローブ)を用いて分析しました。
3DAP(3次元アトムプローブ)はナノサイズの原子配置を分析することが可能で、EBSD(電子後方散乱回折)は微小なサブミクロン領域の結晶方位解析を行うことが可能･･･
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