3DAPによるNiSi/Si接合の低抵抗化の解析3DAP (APT) Analysis of Low Interface Resistance in NiSi/Si Junctions
トランジスタの微細化に伴い寄生抵抗の増加が問題になっています。中でもソース/ドレインのNiSi/Si界面における界面抵抗が占める割合は大きく、近年ではシリサイド中に不純物を添加して界面抵抗を下げる方法が提案されています。NiSi/Si界面における不純物分布について3DAP(3次元アトムプローブ)を用いて解析しました。