ウェーハ表面・膜中・バルク中の金属汚染分析Trace Metal Contamination Analysis of Wafer Surface, Thin Layer and Bulk

半導体プロセスにおいて、デバイス性能に大きな影響を与える金属汚染のコントロールは重要です。当社では、汚染源・汚染領域など詳細に把握するための汚染評価手法として、ウェーハ最表層(平坦部・ベベルなどの局所)、膜中やバルク中などを切り分けた評価を可能にしました。

分析対象領域と前処理方法

分析対象領域と前処理方法
液相分解・回収
気相分解(VPD)・回収
拭き取り法と液相分解(エッチング)

気相分解(VPD)法の感度

分析可能な元素と定量下限

300mmウェーハ 平坦部 検出限界

※試料の状態により変動する場合があります。

300mmウェーハ ベベル部 検出限界

※試料の状態により変動する場合があります。

[ 更新日:2022/03/30 ]

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