接合部の組成・結晶性・応力評価Analysis of Composition, Crystallinity and Stress in Joint Area

電子デバイスは様々な特性から選択した異種材料が一体化して形成されており、異種材料間の接合技術が重要な鍵を握ります。
3次元のFIB-SEM/EDS、EBSD・ラマン散乱分光により、接合時の反応生成物の挙動、加熱・冷却に伴う熱残留応力・ひずみの影響を解析することができます。

マイクロバンプの構造解析

FIB-SEM 3次元像

FIB-SEM 3次元像

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(MP4形式ファイル : 3.5MB)

FIB-SEM/EDS 3次元像

FIB-SEM/EDS 3次元像

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(MP4形式ファイル : 3.9MB)

TSVの局所応力解析

TSV : Through Silicon Via (Si貫通電極)

EBSD: メタル応力解析
下図の緑の部分に応力が集中しています

Raman: Si応力解析

[ 更新日:2022/03/30 ]

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