強制汚染ウェーハ提供サービスSi Wafer with Controlled Contamination Level

半導体製造工程における様々なプロセス評価を行うため、一定の濃度レベルに汚染したウェーハ(強制汚染ウェーハ)をご提供します。 目的に応じて、濃度・汚染方法・対象元素や領域(片面・両面)の選択が可能です。 また、全反射蛍光X線分析(TXRF)にてSiウェーハ上の金属分析を行う際に、標準ウェーハとしてご使用いただけます。

強制汚染ウェーハの作製

強制汚染ウェーハの作製

強制汚染ウェーハの使用例

強制汚染ウェーハの使用例

強制汚染の種類と特徴

  ディップ法 噴霧法
標準液汚染方法 浸漬、スピン乾燥 霧状噴霧塗布
汚染形態 フィルム状 粒子状
対応ウェーハ 100~ 300mm φ
Bare-Siのみ
~300mm φ
パターン付も可
汚染領域 表裏全面 片面のみ1)、任意領域も可
汚染濃度範囲 ×109~1014 2) ×109~1015 2)

1) 裏面への回り込み1%以下
2) 元素、ウェーハサイズにより応相談(単位:atoms/cm2)

汚染対象元素

汚染元素

任意領域汚染例 (噴霧法)

汚染領域
汚染領域
多点TXRF測定結果(Fe)
多点TXRF測定結果(Fe)

面内分布均一性 (参考データ)

300mmφウェーハの面内濃度分布を多点TXRF測定により確認しました(外部機関で測定)。

ディップ法
噴霧法

6) 面内分布均一性について、保証するものではありません。

[ 更新日:2022/03/30 ]

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