パッケージ不良解析Package Failure Analysis
不具合モデルに適した解析手法の立案および、断面・表面解析・分析を行います。
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アセンブリの不具合モード
受託メニュー
| 電気特性 | 不具合モード | 手法 | |
|---|---|---|---|
| 端子間ショート | ウィスカ | 非蒸着観察 | 低真空SEM |
| 汚染・ワイヤタッチなど ボール/スルーホール/基板クラック、剥離など 異物混入・パッドコロージョンなど チップクラックなど |
電気特性取得 | 半導体パラメータアナライザ | |
| 非破壊観察 | 透過X線・ 超音波顕微鏡・ 3次元X線顕微鏡(X線CT) | ||
| 端子オープン ・ショート |
故障箇所特定 | OBIRCH・針当て | |
| 試料作製 | 埋込・機械研磨・エッチング・ イオンミリング(表面・断面) | ||
| 観察 | 光学顕微鏡・ SEM | ||
| 動作不良 ・消費電流大 |
分析 | EPMA・SEM-EDS・ FT-IR | |
非破壊観察
最初に、非破壊で観察できる手法(透過X線や超音波顕微鏡)で不具合の有無を観察します。
故障箇所特定
ショート不良で、不具合が想定される箇所に光を到達させることができる場合は、OBIRCHで特定を行います。
観察
SEMは、二次電子で形状と凹凸を、反射電子で組成に由来したコントラストを得ることができ、目的に応じて観察します。
分析
EDSでマッピング分析することにより、合金層の種類や成長の程度を把握でき、不具合の原因究明に結び付けることができます。
[ 更新日:2024/09/02 ]
