パッケージ不良解析Package Failure Analysis

不具合モデルに適した解析手法の立案および、断面・表面解析・分析を行います。

アセンブリの不具合モード

想定される不具合モード例
想定される不具合モード例

受託メニュー

電気特性 不具合モード 手法
端子間ショート ウィスカ 非蒸着観察 低真空SEM
汚染・ワイヤタッチなど

ボール/スルーホール/基板クラック剥離など

異物混入・パッドコロージョンなど

チップクラックなど
電気特性取得 半導体パラメータアナライザ
非破壊観察 透過型X線観察超音波顕微鏡3次元X線顕微鏡(X線CT)
端子オープン
・ショート
故障箇所特定 OBIRCH・針当て
試料作製 埋込・機械研磨・エッチング・ イオンミリング(表面・断面)
観察 光学顕微鏡・ SEM
動作不良
・消費電流大
分析 EPMA・SEM-EDS・ FT-IR

非破壊観察

最初に、非破壊で観察できる手法(透過型X線や超音波顕微鏡)で不具合の有無を観察します。

透過型X線観察
透過型X線観察
超音波顕微鏡観察
超音波顕微鏡観察

故障箇所特定

OBIRCH像
OBIRCH像

ショート不良で、不具合が想定される箇所に光を到達させることができる場合は、OBIRCHで特定を行います。

観察

二次電子像
二次電子像
反射電子像
反射電子像

SEMは、二次電子で形状と凹凸を、反射電子で組成に由来したコントラスト得ることができ、目的に応じて観察します。

分析

EDSでマッピング分析することにより、合金層の種類や成長の程度を把握でき、不具合の原因究明に結び付けることができます。

EDS元素分析
EDS元素分析

[ 更新日:2022/03/30 ]

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