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IGBTなどの大型試料からの切り出し、精細な断面加工後にマイクロ～ナノスケールでの結晶組織を観察することにより、応力集中箇所の調査や合金層の同定を行います。
TEM/STEMは高分解能観察が可能であり、構造解析や結晶欠陥の観察・解析などに有用です。一方、局所的・3次元的な元素分布について、3DAP(3次元アトムプロー･･･
LCDパネルなどの回路接続に用いられる異方性導電フィルム(ACF)は、剥離により接続がオープンする場合があります。基板表面の汚染やACFの硬化不足などの不具合現･･･
封止樹脂に含まれる成分が変化して、リード電極などを腐食し不具合に至る場合があります。タブレットやパッケージ製品から封止樹脂を取り出して各試験を行うことにより、腐･･･
半導体デバイスやFPDの故障解析では、故障発生状況の把握、外観観察および電気特性取得の後、故障メカニズムの推測を行います。次に故障箇所の特定を行い、表面または断･･･
SCMは半導体のキャリア分布を2次元で可視化できる手法で、SPMの応用の一つです。
フォトマスクのコンタミネーションは装置内の雰囲気や部品などにより発生し、ウェーハ上に欠陥として転写され不具合の原因となります。この原因を特定するためにはコンタミ･･･
SiC MOSFET構造では、特性改善のためn基板とnドリフト層の間に数百nmオーダのnバッファ層が挿入されることがあります。nバッファ層の評価では、深さ方向分･･･
LED内部の蛍光体を3次元的に可視化することで分布の偏りや粒径分布が確認できます。また、得られた3次元像を基に粒度分布解析をすることで、粒子の体積・表面積を統計･･･
トリプル四重極型ICP質量分析装置(ICP-MS/MS)は、シングル四重極型ICP質量分析装置(ICP-QMS)よりもスペクトル干渉除去能力が向上され、試料溶液･･･
EELSはEDSと異なり、元素情報だけではなく、元素の結合状態も判断することができます。LSIのコンタクト不良で観察された銅配線間の高抵抗箇所(コンタクト近傍)･･･
半導体・電子デバイスの高集積化に伴い、その製造工程では、より高い清浄度が求められています。シリコンウェーハ分析-ガスクロマトグラフィー質量分析(SWA-GC/M･･･
基板実装のできばえ調査、接合性、その他不良に関する解析をご提供します。
ICチップ内の多層配線やSi基板の故障箇所を特定するために、SEMで電位コントラスト(PVC)の違いを観察します。
カード型デバイス中の薄型集積回路チップ、パワー半導体素子、裏面入射型撮像素子などでは大口径ウェーハを薄研削加工することが多く、その残留応力がデバイスに与える影響･･･
ウェーハベベル部の成分評価は一般的にTEMやTOF-SIMSで行われていますが、既存の手法ではいずれも感度や定量に制限があり、微量の成分評価は困難とされてきまし･･･
はんだボールやボンディングなどのできばえを様々な手法で調査し、形状や接合の確認およびクラックなどの不具合に発展する可能性がある要因の有無を確認します。
SiCやGaNといった化合物半導体においては、結晶欠陥が多く含まれており、素子特性に大きな影響を与えます。放射光を用いたトポグラフィー評価により、高い分解能で4･･･
SIMSによる深さ方向分析では、試料表面近傍の浅い領域においてスパッタ率が試料内部よりも高いために、クレーター深さから換算した場合の深さ軸は真値からのずれを生じ･･･
半導体デバイスの高集積化に伴い、製造工程は高い清浄度が求められています。特にクリーンルーム環境中や関連部材の極微量な不純物の制御、清浄度の評価が重要です。 当社･･･
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