半導体

FIB/SEM法による3次元構造観察

半導体デバイスの構造解析では、FIB/SEMで表面や断面を観察します。一般的には立体構造をした素子の一部分を切り出し、2次元の平板な画像を得ることで、どのような･･･

ゲート電極/酸化膜界面の不純物分析裏面研磨技術を用いたXPS分析(Backside XPS)

ゲート電極/ゲート絶縁膜界面の不純物の分布や結合状態などを調べるためには1nm以下の深さ方向分解能が必要とされます。このような場合、裏面(ゲート絶縁膜側)からの･･･

放射光HAXPESによる埋もれた界面の評価

X線光電子分光(XPS)は、表面の組成・状態分析が可能であり、表面分析では不可欠な手法です。ラボ型XPS(Al Kα：1.5keV)では、3nm程度の極表面の評･･･

熱履歴によるはんだの組織変化

電子部品の発熱による温度上昇や構成材料の熱膨張差によって、はんだ接合部に応力が発生しクラックが生じる可能性があります。 EBSDで結晶粒ごとの結晶方位やグレイン･･･

高感度STEM/EDSと3DAPによるLED解析

LEDデバイスの発光中心である量子活性井戸層(MQW)は、Inドープ層が積層された構造で、各ドープ層のIn濃度や分布が発光特性へ大きな影響を及ぼすことが知られて･･･

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3DAPによるナノワイヤLED分析

コアシェル型ナノワイヤLEDは、n-GaNナノワイヤコアとそれを囲む発光層(MQWs)およびp-GaN層で構成される低電力・高出力の発光デバイスです。複雑な微小･･･

半導体製造装置の性能評価と安全性評価

半導体製造工程において、製品の品質や作業者の安全を確保するためには、使用する製造装置の性能や安全性を管理することが重要です。装置性能の維持や、装置導入・立ち上げ･･･

薄膜X線回折(XRD)

薄膜X線回折は、数nmレベルの薄膜の結晶構造同定に加え、X線反射率測定による多層膜の膜密度・膜厚・粗さの解析も可能です。

AFMによる微小表面粗さ測定

原子間力顕微鏡(AFM : Atomic Force Microscope)はナノスケールの微小な表面形状を3次元で可視化・数値化できる手法です。

光電子分光による表面酸化膜の膜厚評価

酸化膜の形成プロセスにおいて、酸化膜厚の制御は最も重要な項目の1つです。そこで、光電子分光を用いて表面酸化膜の膜厚を非破壊で見積りました。

GaNゲート酸化膜の不純物分析

GaNデバイスにおいて、ゲート酸化膜への前工程由来成分(不純物)の拡散は、絶縁性不良の原因につながるため、その濃度分布や拡散源の特定が必要となります。今回当社で･･･

大型試料の切り出しとEBSD測定

IGBTなどの大型試料からの切り出し、精細な断面加工後にマイクロ～ナノスケールでの結晶組織を観察することにより、応力集中箇所の調査や合金層の同定を行います。

3DAPによるGaNエッチピット直下転位の分析

TEM/STEMは高分解能観察が可能であり、構造解析や結晶欠陥の観察・解析などに有用です。一方、局所的・3次元的な元素分布について、3DAP(3次元アトムプロー･･･

異方性導電フィルムの剥離原因分析

LCDパネルなどの回路接続に用いられる異方性導電フィルム(ACF)は、剥離により接続がオープンする場合があります。基板表面の汚染やACFの硬化不足などの不具合現･･･

半導体用封止樹脂中の腐食性成分分析

封止樹脂に含まれる成分が変化して、リード電極などを腐食し不具合に至る場合があります。タブレットやパッケージ製品から封止樹脂を取り出して各試験を行うことにより、腐･･･

OBIRCH/PEM(EMS)による故障箇所特定

半導体デバイスやFPDの故障解析では、故障発生状況の把握、外観観察および電気特性取得の後、故障メカニズムの推測を行います。次に故障箇所の特定を行い、表面または断･･･

SCMによる半導体キャリア分布観察

SCMは半導体のキャリア分布を2次元で可視化できる手法で、SPMの応用の一つです。

フォトマスクのコンタミネーション高感度分析

フォトマスクのコンタミネーションは装置内の雰囲気や部品などにより発生し、ウェーハ上に欠陥として転写され不具合の原因となります。この原因を特定するためにはコンタミ･･･

SiC nバッファ層の窒素濃度分析

SiC MOSFET構造では、特性改善のためn基板とnドリフト層の間に数百nmオーダのnバッファ層が挿入されることがあります。nバッファ層の評価では、深さ方向分･･･

3次元X線顕微鏡によるLED内部の蛍光体の粒度分布測定

LED内部の蛍光体を3次元的に可視化することで分布の偏りや粒径分布が確認できます。また、得られた3次元像を基に粒度分布解析をすることで、粒子の体積・表面積を統計･･･