3DAPによるナノワイヤLED分析3DAP (APT) Analysis of Nanowire LED
コアシェル型ナノワイヤLEDは、n-GaNナノワイヤコアとそれを囲む発光層(MQWs)およびp-GaN層で構成される低電力・高出力の発光デバイスです。複雑な微小構造を持つためSIMS分析で各層を捉えることが難しく、不純物濃度も低いためTEM-EDSによる検出も困難です。3DAP(3次元アトムプローブ)は、ナノワイヤLEDを評価する有効な手法であり、その分析事例をご紹介します。
（本検討は、名城大学との共同研究により行われたものです）
