3DAPによるGaNエッチピット直下転位の分析3DAP (APT) Analysis of Dislocations under GaN-pit

TEM/STEMは高分解能観察が可能であり、構造解析や結晶欠陥の観察・解析などに有用です。一方、局所的・3次元的な元素分布について、3DAP(3次元アトムプローブ)の有用性が認められています。STEM観察と3DAP分析を同一試料で実施することで、構造・結晶欠陥と添加元素の原子偏析位置の関連性について評価できます。
(本検討は、名古屋大学天野研究室との共同研究により行われたものです)