3DAPによるGaNエッチピット直下転位の分析3DAP (APT) Analysis of Dislocations under GaN-pit

TEM/STEMは高分解能観察が可能であり、構造解析や結晶欠陥の観察・解析などに有用です。一方、局所的・3次元的な元素分布について、3DAP(3次元アトムプローブ)の有用性が認められています。STEM観察と3DAP分析を同一試料で実施することで、構造・結晶欠陥と添加元素の原子偏析位置の関連性について評価できます。
(本検討は、名古屋大学天野研究室との共同研究により行われたものです)

GaNエッチピット直下の転位の3DAP分析

GaN自立基板上縦型pnダイオードにおいて、エッチピット直下の貫通転位付近の3DAP分析を行いました。その結果、ピットによって転位へのMg偏析の有無が異なることが分かりました。

ピットの概略図
ピットの概略図
ピットの表面SEM像
ピットの表面SEM像
ピット直下の断面STEM像
ピット直下の
断面STEM像
3DAP像と解析領域のマススペクトル

転位にMgが偏析していない

3DAP像と解析領域のマススペクトル

転位にMgが偏析している

[ 更新日:2022/03/30 ]

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