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はんだボールやボンディングなどのできばえを様々な手法で調査し、形状や接合の確認およびクラックなどの不具合に発展する可能性がある要因の有無を確認します。
SiCやGaNといった化合物半導体においては、結晶欠陥が多く含まれており、素子特性に大きな影響を与えます。放射光を用いたトポグラフィー評価により、高い分解能で4･･･
SIMSによる深さ方向分析では、試料表面近傍の浅い領域においてスパッタ率が試料内部よりも高いために、クレーター深さから換算した場合の深さ軸は真値からのずれを生じ･･･
半導体デバイスの高集積化に伴い、製造工程は高い清浄度が求められています。特にクリーンルーム環境中や関連部材の極微量な不純物の制御、清浄度の評価が重要です。 当社･･･
実装部品の故障解析技術として、適切なサンプル作製を行い3次元X線顕微鏡(X線CT)を用いて破壊箇所の状態を非破壊で観察した事例と、その不具合箇所を断面解析にて詳･･･
レイヤー解析とは、ICチップ内の各層(レイヤー)の観察と除去を繰り返して、異常の有無を確認する手法です。
半導体製造工程における様々なプロセス評価を行うため、一定の濃度レベルに汚染したウェーハ(強制汚染ウェーハ)をご提供します。 目的に応じて、濃度・汚染方法・対象元･･･
不具合モデルに適した解析手法の立案および、断面・表面解析・分析を行います。
脆弱な材料、剥離発生品や複合材料などの断面観察を正確に行うため、試料の特性に合わせた作製手法をご提案します。
パワー半導体の普及に向け、低欠陥のSiCウェーハの開発が進められています。 今回、SiCウェーハに形成されたエッチピットを3次元X線顕微鏡(X線CT)で観察した･･･
高温でのX線回折(XRD)は、各種材料の温度条件による相変化・化学反応・格子定数の変化を知るために有効な手段です。 nmオーダの極薄膜の結晶構造の変化をIn-･･･
半導体プロセスにおいて各工程ごとの汚染量を把握し、コントロールすることは重要です。 実際のプロセス/ウェーハでの金属元素の熱拡散挙動の評価、材料や部品から発生す･･･
電子デバイスは様々な特性から選択した異種材料が一体化して形成されており、異種材料間の接合技術が重要な鍵を握ります。 3次元のFIB-SEM/EDS・EBSD・ラ･･･
FIB加工とSEM観察・EDS分析を繰り返し、取得した像をソフトウェアで再構築することで複合材料の情報を3次元的に得ることができ、欠陥や空孔を正確に把握できます･･･
硬Ｘ線光電子分光(HAXPES)は、これまで軟X線領域での測定が主流であった光電子分光を硬X線領域で行うことでバルク敏感な測定が可能となり飛躍的な進歩を遂げまし･･･
半導体プロセスにおいて、デバイス性能に大きな影響を与える金属汚染のコントロールは重要です。当社では、汚染源・汚染領域など詳細に把握するための汚染評価手法として、･･･
3次元X線顕微鏡により、非破壊で不具合箇所の状態を観察し、同箇所について高速FIBを用いて解析することにより、3次元での詳細な形状と元素分布を観察することができ･･･
各種デバイスにおける残留応力は、「剥がれ」や「割れ」などのトラブルを引き起こす要因になります。ラマン散乱分光では、μmオーダの空間分解能で応力分布を得ることが可･･･
二次イオン質量分析(SIMS)は、ppbレベルの極微量元素を同定・定量できる非常に高感度な分析手法です。スパッタしながら測定することで、膜中の微量成分の深さ方向･･･
電子部品の配線・電極などの金属は、材料や梱包材、大気中に存在する硫黄系ガスにより腐食して不具合に至る可能性があります。特に銀は硫黄系ガスに対して敏感で、極微量の･･･
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