半導体

TSV中メタルのEBSD測定

TSVは、Siを貫通するビアを形成しメタルを埋め込みます。このメタルの応力により酸化膜のクラックが発生し、リーク不良に至るケースがあります。EBSDで結晶粒ごと･･･

3DAPによるNiSi/Si接合の低抵抗化の解析

トランジスタの微細化に伴い寄生抵抗の増加が問題になっています。中でもソース/ドレインのNiSi/Si界面における界面抵抗が占める割合は大きく、近年ではシリサイド･･･

ウェーハベベル部の拭き取り法による微量金属分析

平坦部・ベベル部における他のウェーハからのクロスコンタミだけでなく、製品ウェーハや金属膜付きウェーハのウェーハ自身からのベベル汚染分析を可能にしました。金属膜・･･･

高圧ガス中の不純物分析

半導体やFPDなどの製造プロセスにおいて、プロセスに使用する様々な材料やガスの清浄化が求められます。高圧エア・CDA(クリーンドライエア)・N2やArガスなどの･･･

ラマンによるSiCデバイスの応力分布評価

SiCデバイスはパワー半導体の中でも市場が大きく、今後も需要の拡大が見込まれています。 SiCデバイスでは製造工程において、結晶欠陥や、内部応力が発生することが･･･

高濃度層から下層膜への不純物拡散評価

SIMS分析において、高濃度層から下層膜への不純物拡散を評価する際には、表面の凹凸やスパッタエッチングに伴い、高濃度層からのクレーターエッジ効果やノックオンの影･･･

微小部特異成分のイメージングIRによる分析

FT-IR(フーリエ変換赤外分光)を用いると分子内の結合情報を得ることができます。 イメージングIRは、特定の結合について2次元の分布を得ることができ、材料中の･･･

SiC化合物半導体の故障解析

今後、普及が見込まれているSiCパワーデバイスも、Siデバイスと同様の手法で故障解析を行うことができます。 ここでは、ESD試験で破壊した SiC MOSFET･･･

半導体パッケージのための化学分析

化学分析は、材料や不具合箇所の組成、不純物、デガスおよび熱特性などを明らかにすることができます。パッケージング技術開発や工程トラブルなどにおいて、目的に適した分･･･

3DAPとTEMによるFinFETデバイスの分析

FinFET(Fin Field-effect transistor)の微細構造をTEMと3DAP(3次元アトムプローブ)を用いて複合的に解析した事例をご紹介し･･･

製造プロセス環境の有機汚染評価

半導体デバイス・FPDのプロセスにおいて、有機汚染が品質に影響を及ぼすことから、環境中の微量有機成分の清浄度管理が求められています。当社では、目的に応じた評価の･･･

電子部品の温度サイクル試験

温度サイクル試験(TCT)は、電子部品の外部環境あるいは自己発熱により、温度が繰り返し変化する環境を想定し、温度変化による熱ストレスを与えて耐性を確認する環境試･･･

高濃度マトリックス中に含まれる微量成分の分析

TOF-SIMSは、高感度で有機、無機成分の情報を得ることができます。しかし、高感度のため、高濃度成分(たとえばバルク)が検出器に入ってしまうと、検出器が飽和し･･･

3次元アトムプローブ　デモンストレーション

STEMと3DAPによるSiC MOSFET複合分析

SiCデバイスの需要は近年高まっており、SiCデバイスを開発する上で結晶欠陥やドーパント元素分布の評価は重要です。今回STEM観察と3DAP分析を同一試料で実施･･･

3次元FIB-SEM(EDS)解析

FIB加工とSEM観察、EDS分析を繰り返し、取得した像をソフトウェアで再構築することで複合材料の情報を3次元的に得ることができ、欠陥や空孔を正確に把握できます･･･

3DAPによるSi酸化膜中のナノ粒子分析

3DAP(3次元アトムプローブ)は、ナノサイズの微小構造を分析することができるツールです。Si酸化膜中のナノ粒子の大きさなどについて、3次元的に定量分析・評価す･･･

リソグラフィ工程の品質維持・改善

半導体製造工程の心臓部であるリソグラフィ工程の品質を維持・改善するための評価技術をご提供します。特に装置内および装置を設置するクリーンルーム環境は、高い清浄度が･･･

表面実装部品のはんだ耐熱性試験

表面実装部品の防湿梱包からリフローまでをシミュレートし、熱ストレス耐性を評価します。

高機能自動化SIMS

二次イオン質量分析(SIMS)は、全元素に対して高感度かつ高質量分解能測定での深さ方向分析が可能です。さらに当社では、試料導入から分析までの自動化機能を加え、高･･･