Siウェーハのひずみ解析Strain Analysis of Silicon Wafer

カード型デバイス中の薄型集積回路チップ、パワー半導体素子、裏面入射型撮像素子などでは大口径ウェーハを薄研削加工することが多く、その残留応力がデバイスに与える影響が懸念されます。この研削加工は結晶に不均一なひずみを与え、結晶性低下につながる可能性があります。今回、Siウェーハに対して機械研磨を行い、研磨前後の結晶性の変化をX線ロッキングカーブ法で評価しました。X線ロッキングカーブ法では、反りなどの外的形状の変化がない(結晶面の)ひずみも検出することができます。