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半導体デバイスの故障解析の手順として、故障発生状況の調査、外観観察および電気特性を取得し、故障メカニズムを推測します。次に、非破壊検査や故障特定を行なった後、さ・・・
試料の内部をX線で透過して観察することにより、試料を分解することなく非破壊で観察できます。
走査電子顕微鏡(SEM)は、試料の表面に電子線を照射して観察することで、微細な表面形状や組成、結晶方位を観察することができます。
当社で所有するプラズマFIB〔TESCAN SOLARIS X(Xeビーム加工)〕を用いたGaフリー加工において、SiC拡散層観察での有用性が確認できました。へ・・・
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