FIB加工による3DAP分析用試料作製Sample Preparation for 3DAP (APT) Analysis using FIB Technique

3DAP(3次元アトムプローブ)で測定を行うためには、分析対象となる試料を先端径数十nm程度に尖らせた針状に成形する必要があります。
通常この針状試料作製は、FIB(Focused Ion Beam)を用いて行います。FIBを用いることで、金属材料の粒界や半導体デバイスの特定トランジスタなど、特定領域をピンポイントで狙って針状試料にすることが可能です。

専用試料台の準備

クーポンと呼ばれるSi製のプレート上には、ポストと呼ばれる3DAP専用試料台が並んでいます。ポストの先端は約2μm径のサイズで、その上に針状試料を作製します。

クーポンとポスト(専用試料台)

分析箇所の採取(リフトアウト法)

FIBを用いて、分析箇所を含んだ十数μm×2μm程度の試料片を採取し、ポストに固定します。採取した試料片を分割して複数のポストに載せることで、1回のリフトアウトで複数の針状試料を作製します。試料片を回転させた横方向・上下反転(裏面)加工も可能です。

分析箇所の採取(リフトアウト法)

試料片の針状加工

リフトアウト法にて採取した試料片は、FIBによって先端径50~100nmφ程度の針状に成形します。

試料片の針状加工

[ 更新日:2022/03/30 ]

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