FIB加工によるTEM試料作製Sample Preparation for TEM using FIB Processing

集束イオンビーム(FIB:Focused Ion Beam)装置は、加工位置精度が良く特定箇所の試料作製が可能であることから、様々な製品や材料のTEM試料作製に用いられています。また、加工用のGaイオンビームに加え、電子ビームを備えたDual Beamタイプでは加工の終点判断をSEM観察にて行うことが可能であり、加工精度が向上します。

FIBの機能

FIBは、高電圧で加速したGaイオンビームを試料表面上に照射してスキャンさせることで、指定箇所のエッチング・観察・デポジションができます。

Dual Beam FIB外観
Dual Beam タイプ装置外観
エッチング
エッチング
観察
観察
デポジション
デポジション

特徴

  • サブミクロン単位の位置精度で特定箇所のTEM試料作製が可能
  • 均一な厚さのTEM試料作製が可能
  • マイクロプローブを用いたリフトアウト法により、近接領域や膜剥がれしやすい試料にも適応可能
  • Dual Beam タイプでは加工断面のSEM像確認が可能であり、終点判断の精度が向上

事例

リフトアウト法

リフトアウト法

TEM試料作製例

0.1µm以下で特定箇所の断面試料作製
0.1µm厚以下の、特定箇所の
薄膜試料作製が可能
入射電子線方向イメージ
試料作製後にTEM観察時の
入射電子線方向イメージ

[ 更新日:2022/03/30 ]

分析に関するお問い合わせ

お問い合わせ

よくあるご質問

依頼に関するお問い合わせ

入力フォームはこちらから

電話番号・メールアドレス

トップに戻る