FIBによる裏面加工法Back Side Processing Method by Focused Ion Beam

FIBにより半導体デバイス試料を表面側から加工した場合、内部構造材料のイオンミリングレート差により加工面に凹凸が発生し、特に硬い材料の直下は試料膜厚が厚くなるなど、TEM観察に悪影響を与えてしまいます。
コンタクトボトムなどの微細な異常を観察する際は、裏面のSi基板側から加工することで上層の硬い構造による加工の影響を受けることなく観察できます。

表面側および裏面側からの加工イメージ

表面側(通常)からの加工の場合
表面側(通常)からの加工の場合
裏面側からの加工の場合
裏面側からの加工の場合

事例 デバイス断面の観察比較

表面からの加工(通常)は、上部配線・コンタクト・ゲート上部の構造物が平坦な加工を阻害し、Si基板直上の構造把握に悪影響を及ぼしています。

通常加工
表面から(通常)の加工

裏面からの加工では、重要なSi基板直上の部位が均一に加工できています。

裏面加工
裏面からの加工

[ 更新日:2022/03/30 ]

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