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SIMS分析において、高濃度層から下層膜への不純物拡散を評価する際には、表面の凹凸やスパッタエッチングに伴い、高濃度層からのクレーターエッジ効果やノックオンの影･･･
レーザ顕微鏡・触針式段差計・AFMは、それぞれ原理が異なる表面形状を測定する技術です。各手法の非接触・広視野、高精度接触測定の特徴を活用し、材料や用途に応じた最･･･
3DAP(3次元アトムプローブ)はナノサイズの原子配置を分析することが可能で、EBSD(電子後方散乱回折)は微小なサブミクロン領域の結晶方位解析を行うことが可能･･･
電子部品は、外部環境あるいは自己発熱により、繰り返しの温度変化にさらされます。 その耐久性試験として、温度サイクル試験(TCT)と超音波顕微鏡(SAM)を組み合･･･
二次イオン質量分析(SIMS)は、全元素に対して高感度かつ高質量分解能測定での深さ方向分析が可能です。さらに当社では、試料導入から分析までの自動化機能を加え、高･･･
3DAP(3次元アトムプローブ)は、ナノサイズの微小構造を分析することができるツールです。Si酸化膜中のナノ粒子の大きさなどについて、3次元的に定量分析・評価す･･･
電子部品は、外部環境あるいは自己発熱により、繰り返しの温度変化にさらされます。 その耐久性試験として、熱衝撃試験(TST)と3次元X線顕微鏡(X線CT)を組み合･･･
レイヤー解析とは、ICチップ内の各層(レイヤー)の観察と除去を繰り返して、異常の有無を確認する手法です。
FIBにより半導体デバイス試料を表面側から加工した場合、内部構造材料のイオンミリングレート差により加工面に凹凸が発生し、特に硬い材料の直下は試料膜厚が厚くなるな･･･
走査型マイクロ波インピーダンス顕微鏡(sMIM)は、半導体のキャリア分布を2次元で可視化できる手法で、SPMの応用の一つです。
SiCやGaNといった化合物半導体においては、結晶欠陥が多く含まれており、素子特性に大きな影響を与えます。放射光を用いたトポグラフィー評価により、高い分解能で4･･･
パワーMOSFETの故障解析には、不具合特性を維持しながら故障箇所を特定することが重要です。そのために、裏面からOBIRCH/PEM(EMS)で特定し、裏面から･･･
原子層堆積法(ALD: Atomic Layer Deposition)は、1原子層ずつ成膜する技術です。 当社では主にTEM観察におけるナノ構造解析の保護膜･･･
低加速電圧走査電子顕微鏡は、電子線の加速エネルギーを下げることで二次電子の脱出深さを極浅くし、薄膜や表面汚染をより鮮明に観察することができます。また、低加速電圧･･･
車載向け半導体デバイスの信頼性評価試験では、AEC-Q100、AEC-Q101に準拠した試験にご対応します。
ICP-OES(誘導結合プラズマ発光分光分析)は、材料中の元素分析に欠かせない装置です。マルチ型ICP-OESは、CCD検出器を使用し、高感度に多元素同時測定が･･･
集束イオンビーム(FIB:Focused Ion Beam)装置は、集束したイオンビームを試料に照射しスキャンさせることで、指定箇所の加工や観察が可能です。加工･･･
EELSはEDSと異なり、元素情報だけではなく、元素の結合状態も判断することができます。LSIのコンタクト不良で観察された銅配線間の高抵抗箇所(コンタクト近傍)･･･
GaNデバイスにおいて、ゲート酸化膜への前工程由来成分(不純物)の拡散は、絶縁性不良の原因につながるため、その濃度分布や拡散源の特定が必要となります。今回当社で･･･
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