半導体

熱衝撃試験による経時劣化の観察

電子部品は、外部環境あるいは自己発熱により、繰り返しの温度変化にさらされます。その耐久性試験として、熱衝撃試験(TST)と3次元X線顕微鏡(X線CT)を組み合･･･

ICのレイヤー解析

レイヤー解析とは、ICチップ内の各層(レイヤー)の観察と除去を繰り返して、異常の有無を確認する手法です。

FIBによる裏面加工法

FIBにより半導体デバイス試料を表面側から加工した場合、内部構造材料のイオンミリングレート差により加工面に凹凸が発生し、特に硬い材料の直下は試料膜厚が厚くなるな･･･

sMIMによる半導体キャリア分布観察

走査型マイクロ波インピーダンス顕微鏡(sMIM)は、半導体のキャリア分布を2次元で可視化できる手法で、SPMの応用の一つです。

放射光トポグラフィーによる欠陥評価

SiCやGaNといった化合物半導体においては、結晶欠陥が多く含まれており、素子特性に大きな影響を与えます。放射光を用いたトポグラフィー評価により、高い分解能で4･･･

パワーMOSFETの故障解析

パワーMOSFETの故障解析には、不具合特性を維持しながら故障箇所を特定することが重要です。そのために、裏面からOBIRCH/PEM(EMS)で特定し、裏面から･･･

原子層堆積法によるTEM解析試料作製

原子層堆積法(ALD: Atomic Layer Deposition)は、1原子層ずつ成膜する技術です。当社では主にTEM観察におけるナノ構造解析の保護膜･･･

低加速電圧走査電子顕微鏡

低加速電圧走査電子顕微鏡は、電子線の加速エネルギーを下げることで二次電子の脱出深さを極浅くし、薄膜や表面汚染をより鮮明に観察することができます。また、低加速電圧･･･

車載向け半導体デバイスの信頼性評価試験

車載向け半導体デバイスの信頼性評価試験では、AEC-Q100、AEC-Q101に準拠した試験にご対応します。

マルチICP-OESによる高感度多元素同時分析

ICP-OES(誘導結合プラズマ発光分光分析)は、材料中の元素分析に欠かせない装置です。マルチ型ICP-OESは、CCD検出器を使用し、高感度に多元素同時測定が･･･

低ダメージのイオンビーム加工

集束イオンビーム(FIB:Focused Ion Beam)装置は、集束したイオンビームを試料に照射しスキャンさせることで、指定箇所の加工や観察が可能です。加工･･･

STEM-EELSを用いた故障解析

EELSはEDSと異なり、元素情報だけではなく、元素の結合状態も判断することができます。LSIのコンタクト不良で観察された銅配線間の高抵抗箇所(コンタクト近傍)･･･

GaNゲート酸化膜の不純物分析

GaNデバイスにおいて、ゲート酸化膜への前工程由来成分(不純物)の拡散は、絶縁性不良の原因につながるため、その濃度分布や拡散源の特定が必要となります。今回当社で･･･

X線光電子分光(XPS)

X線光電子分光(XPS)は、数nmレベルの極表面の組成分析が行える表面分析手法です。また、材料を構成する各元素の電子状態(化学結合・価数・混成・電子相関)も･･･

FIB加工によるTEM試料作製

集束イオンビーム(FIB:Focused Ion Beam)装置は、加工位置精度が良く特定箇所の試料作製が可能であることから、様々な製品や材料のTEM試料作製に･･･

浅い不純物注入プロファイルの精確な評価

SIMSによる深さ方向分析では、試料表面近傍の浅い領域においてスパッタ率が試料内部よりも高いために、クレーター深さから換算した場合の深さ軸は真値からのずれを生じ･･･

SiC nバッファ層の窒素濃度分析

SiC MOSFET構造では、特性改善のためn基板とnドリフト層の間に数百nmオーダのnバッファ層が挿入されることがあります。nバッファ層の評価では、深さ方向分･･･

ゲート電極/酸化膜界面の不純物分析～裏面研磨技術を用いたXPS分析(Backside XPS)～

ゲート電極/ゲート絶縁膜界面の不純物の分布や結合状態などを調べるためには1nm以下の深さ方向分解能が必要とされます。このような場合、裏面(ゲート絶縁膜側)からの･･･