半導体

FIB加工によるTEM試料作製

集束イオンビーム(FIB:Focused Ion Beam)装置は、加工位置精度が良く特定箇所の試料作製が可能であることから、様々な製品や材料のTEM試料作製に･･･

浅い不純物注入プロファイルの精確な評価

SIMSによる深さ方向分析では、試料表面近傍の浅い領域においてスパッタ率が試料内部よりも高いために、クレーター深さから換算した場合の深さ軸は真値からのずれを生じ･･･

SiC nバッファ層の窒素濃度分析

SiC MOSFET構造では、特性改善のためn基板とnドリフト層の間に数百nmオーダのnバッファ層が挿入されることがあります。nバッファ層の評価では、深さ方向分･･･

ゲート電極/酸化膜界面の不純物分析裏面研磨技術を用いたXPS分析(Backside XPS)

ゲート電極/ゲート絶縁膜界面の不純物の分布や結合状態などを調べるためには1nm以下の深さ方向分解能が必要とされます。このような場合、裏面(ゲート絶縁膜側)からの･･･

電子部品の温度サイクル試験

温度サイクル試験(TCT)は、電子部品の外部環境あるいは自己発熱により、温度が繰り返し変化する環境を想定し、温度変化による熱ストレスを与えて耐性を確認する環境試･･･

透過電子顕微鏡における明視野像と暗視野像の活用

始めに電子線と電子レンズの関係について簡単に説明した後、明視野像と暗視野像についてご説明します。その後、明視野像と暗視野像を活用した実例をご紹介します。

SIMSによるウェーハベベル分析

ウェーハベベル部の成分評価は一般的にTEMやTOF-SIMSで行われていますが、既存の手法ではいずれも感度や定量に制限があり、微量の成分評価は困難とされてきまし･･･

Siウェーハのひずみ解析

カード型デバイス中の薄型集積回路チップ、パワー半導体素子、裏面入射型撮像素子などでは大口径ウェーハを薄研削加工することが多く、その残留応力がデバイスに与える影響･･･

表面実装部品のはんだ耐熱性試験

表面実装部品の防湿梱包からリフローまでをシミュレートし、熱ストレス耐性を評価します。

磁性金属多層膜の組成・状態分析

GMR素子やMTJ素子(磁性金属多層膜を含むスピントロニクス素子)は、HDD装置の磁気ヘッドやMRAMへの実用化が進んでいます。このような磁気抵抗素子の特性は、･･･

- 表面分析
- 内容-表面分析
- 一般材料
- 金属
- HAXPES
- SIMS
- XPS
- 元素分析
- 構造解析
- 半導体
- 深さ方向分析

3DAPによるNiSi/Si接合の低抵抗化の解析

トランジスタの微細化に伴い寄生抵抗の増加が問題になっています。中でもソース/ドレインのNiSi/Si界面における界面抵抗が占める割合は大きく、近年ではシリサイド･･･

X線照射試験

X線は、非破壊かつ短時間で物質内部の状態を確認するのに適した性質をもつことから様々な場面で使用されています。一方、X線と物質との相互作用により製品性能に影響が･･･

二次イオン質量分析(SIMS)

二次イオン質量分析(SIMS)は、ppbレベルの極微量元素を同定・定量できる非常に高感度な分析手法です。スパッタしながら測定することで、膜中の微量成分の深さ方向･･･

TOF-SIMS分析の微小・凹凸表面への応用

TOF-SIMSは最表面を高感度に測定ができる表面分析方法として知られていますが、先端デバイスや先端材料の評価に対し多くの課題があります。当社独自の分析手法によ･･･

3DAPとTEMによるFinFETデバイスの分析

FinFET(Fin Field-effect transistor)の微細構造をTEMと3DAP(3次元アトムプローブ)を用いて複合的に解析した事例をご紹介し･･･

半導体パッケージの接合強度試験

万能型ボンドテスタを用いて半導体パッケージの各種接合強度を評価します。治具を交換することで、さまざまな試験条件に対応できます。

高濃度層から下層膜への不純物拡散評価

SIMS分析において、高濃度層から下層膜への不純物拡散を評価する際には、表面の凹凸やスパッタエッチングに伴い、高濃度層からのクレーターエッジ効果やノックオンの影･･･

3DAPとEBSDによる鉄鋼材料の分析

3DAP(3次元アトムプローブ)はナノサイズの原子配置を分析することが可能で、EBSD(電子後方散乱回折)は微小なサブミクロン領域の結晶方位解析を行うことが可能･･･