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電子部品の発熱による温度上昇や構成材料の熱膨張差によって、はんだ接合部に応力が発生しクラックが生じる可能性があります。 EBSDで結晶粒ごとの結晶方位やグレイン・・・
ICP-OES(誘導結合プラズマ発光分光分析)は、材料中の元素分析に欠かせない装置です。マルチ型ICP-OESは、CCD検出器を使用し、高感度に多元素同時測定が・・・
試料中に含まれるハロゲンや硫黄の含有量は、試料を加湿燃焼させて発生したガスを吸収液に捕集し、ICやICP-OESで分析します。この手法は公定法(JIS・JEIT・・・
材料・部材から発生するガスの特性を把握することは、不具合の原因を推定する重要な手段です。発生ガス分析には目的や試料形状に応じた様々な手法があります。当社では、ご・・・
電子部品の配線・電極などの金属は、硫黄系ガスにより腐食して不具合に至ることが知られています。近年、これら腐食ガスの発生源として梱包材が注目されています。しかし、・・・
材料や部品から発生するガスを把握することにより、表面付着物、工程改善策の確認や不具合発生原因の推定を行うことができます。昇温脱離ガス分析(TDS)では、真空中で・・・
金属・セラミックス・ナノマテリアル材料中に含まれる酸素・窒素・炭素・硫黄は、材料の特性に大きく影響を及ぼすことが知られています。酸素・窒素分析/炭素・硫黄分析装・・・
多孔質でかつ軟質な物質で構成された紙などの材料を観察する場合、一般的な断面作製方法の切断や研磨では、加工時の変形が大きく、観察に適さない場合があります。断面イオ・・・
近年、エレクトロニクス分野においても様々な機能性材料が使用されています。金属・樹脂・セラミックスなど、各種材料の熱的特性を把握することは、材料設計や適切なプロセ・・・
TOF-SIMSは最表面を高感度に測定ができる表面分析方法として知られていますが、先端デバイスや先端材料の評価に対し多くの課題があります。当社独自の分析手法によ・・・
半導体製造等において広く用いられる水素アニール評価の一環として、TDS(Thermal Desorption Spectroscopy)にて測定した事例をご紹介・・・
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