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二次イオン質量分析(SIMS)は、全元素に対して高感度かつ高質量分解能測定での深さ方向分析が可能です。さらに当社では、試料導入から分析までの自動化機能を加え、高･･･
3DAP(3次元アトムプローブ)は、ナノサイズの微小構造を分析することができるツールです。Si酸化膜中のナノ粒子の大きさなどについて、3次元的に定量分析・評価す･･･
SCMは半導体のキャリア分布を2次元で可視化できる手法で、SPMの応用の一つです。
TEM/STEMは高分解能観察が可能であり、構造解析や結晶欠陥の観察・解析などに有用です。一方、局所的、3次元的な元素分布について、3DAP(3次元アトムプロー･･･
FIB加工とSEM観察・EDS分析を繰り返し、取得した像をソフトウェアで再構築することで複合材料の情報を3次元的に得ることができ、欠陥や空孔を正確に把握できます･･･
薄膜X線回折は、数nmレベルの薄膜の結晶構造同定に加え、X線反射率測定による多層膜の膜密度・膜厚・粗さの解析も可能です。
TSVは、Siを貫通するビアを形成しメタルを埋め込みます。このメタルの応力により酸化膜のクラックが発生し、リーク不良に至るケースがあります。EBSDで結晶粒ごと･･･
電子デバイスは様々な特性から選択した異種材料が一体化して形成されており、異種材料間の接合技術が重要な鍵を握ります。 3次元のFIB-SEM/EDS・EBSD・ラ･･･
強磁性半導体において磁気特性に強く影響する磁性元素のクラスタリング分布を3DAP(3次元アトムプローブ)を用いて分析します。
走査型マイクロ波インピーダンス顕微鏡(sMIM)は、半導体のキャリア分布を2次元で可視化できる手法で、SPMの応用の一つです。
当社で所有するプラズマFIB〔TESCAN SOLARIS X(Xeビーム加工)〕を用いたGaフリー加工において、SiC拡散層観察での有用性が確認できました。へ･･･
EELSはEDSと異なり、元素情報だけではなく、元素の結合状態も判断することができます。LSIのコンタクト不良で観察された銅配線間の高抵抗箇所(コンタクト近傍)･･･
封止樹脂に含まれる成分が変化して、リード電極などを腐食し不具合に至る場合があります。タブレットやパッケージ製品から封止樹脂を取り出して各試験を行うことにより、腐･･･
X線光電子分光(XPS)は、表面の組成・状態分析が可能であり、表面分析では不可欠な手法です。ラボ型XPS(Al Kα：1.5keV)では、3nm程度の極表面の評･･･
SIMSによる深さ方向分析では、試料表面近傍の浅い領域においてスパッタ率が試料内部よりも高いために、クレーター深さから換算した場合の深さ軸は真値からのずれを生じ･･･
X線光電子分光(XPS)は、数nmレベルの極表面の組成分析が行える表面分析手法です。 また、材料を構成する各元素の電子状態(化学結合・価数・混成・電子相関)も･･･
GaNデバイスにおいて、ゲート酸化膜への前工程由来成分(不純物)の拡散は、絶縁性不良の原因につながるため、その濃度分布や拡散源の特定が必要となります。今回当社で･･･
高温でのX線回折(XRD)は、各種材料の温度条件による相変化・化学反応・格子定数の変化を知るために有効な手段です。 nmオーダの極薄膜の結晶構造の変化をIn-･･･
ゲート電極/ゲート絶縁膜界面の不純物の分布や結合状態などを調べるためには1nm以下の深さ方向分解能が必要とされます。このような場合、裏面(ゲート絶縁膜側)からの･･･
SiC MOSFET構造では、特性改善のためn基板とnドリフト層の間に数百nmオーダのnバッファ層が挿入されることがあります。nバッファ層の評価では、深さ方向分･･･
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