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半導体の分析・構造解析

sMIMによる半導体キャリア分布観察

走査型マイクロ波インピーダンス顕微鏡(sMIM)は、半導体のキャリア分布を2次元で可視化できる手法で、SPMの応用の一つです。

当社で所有するプラズマFIB〔TESCAN SOLARIS X(Xeビーム加工)〕を用いたGaフリー加工において、SiC拡散層観察での有用性が確認できました。へ･･･

EELSはEDSと異なり、元素情報だけではなく、元素の結合状態も判断することができます。LSIのコンタクト不良で観察された銅配線間の高抵抗箇所(コンタクト近傍)･･･

封止樹脂に含まれる成分が変化して、リード電極などを腐食し不具合に至る場合があります。タブレットやパッケージ製品から封止樹脂を取り出して各試験を行うことにより、腐･･･

X線光電子分光(XPS)は、表面の組成・状態分析が可能であり、表面分析では不可欠な手法です。ラボ型XPS(Al Kα：1.5keV)では、3nm程度の極表面の評･･･

SIMSによる深さ方向分析では、試料表面近傍の浅い領域においてスパッタ率が試料内部よりも高いために、クレーター深さから換算した場合の深さ軸は真値からのずれを生じ･･･

X線光電子分光(XPS)は、数nmレベルの極表面の組成分析が行える表面分析手法です。また、材料を構成する各元素の電子状態(化学結合・価数・混成・電子相関)も･･･

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