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電子部品は、外部環境あるいは自己発熱により、繰り返しの温度変化にさらされます。 その耐久性試験として、熱衝撃試験(TST)と3次元X線顕微鏡(X線CT)を組み合・・・
走査型マイクロ波インピーダンス顕微鏡(sMIM)は、半導体のキャリア分布を2次元で可視化できる手法で、SPMの応用の一つです。
FIBにより半導体デバイス試料を表面側から加工した場合、内部構造材料のイオンミリングレート差により加工面に凹凸が発生し、特に硬い材料の直下は試料膜厚が厚くなるな・・・
低加速電圧走査電子顕微鏡は、電子線の加速エネルギーを下げることで二次電子の脱出深さを極浅くし、薄膜や表面汚染をより鮮明に観察することができます。また、低加速電圧・・・
SiCやGaNといった化合物半導体においては、結晶欠陥が多く含まれており、素子特性に大きな影響を与えます。放射光を用いたトポグラフィー評価により、高い分解能で4・・・
EELSはEDSと異なり、元素情報だけではなく、元素の結合状態も判断することができます。LSIのコンタクト不良で観察された銅配線間の高抵抗箇所(コンタクト近傍)・・・
パワーMOSFETの故障解析には、不具合特性を維持しながら故障箇所を特定することが重要です。そのために、裏面からOBIRCH/PEM(EMS)で特定し、裏面から・・・
ICP-OES(誘導結合プラズマ発光分光分析)は、材料中の元素分析に欠かせない装置です。マルチ型ICP-OESは、CCD検出器を使用し、高感度に多元素同時測定が・・・
原子層堆積法(ALD: Atomic Layer Deposition)は、1原子層ずつ成膜する技術です。 当社では主にTEM観察におけるナノ構造解析の保護膜・・・
SIMSによる深さ方向分析では、試料表面近傍の浅い領域においてスパッタ率が試料内部よりも高いために、クレーター深さから換算した場合の深さ軸は真値からのずれを生じ・・・
車載向け半導体デバイスの信頼性評価試験では、AEC-Q100、AEC-Q101に準拠した試験にご対応します。
集束イオンビーム(FIB:Focused Ion Beam)装置は、集束したイオンビームを試料に照射しスキャンさせることで、指定箇所の加工や観察が可能です。加工・・・
始めに電子線と電子レンズの関係について簡単に説明した後、明視野像と暗視野像についてご説明します。その後、明視野像と暗視野像を活用した実例をご紹介します。
X線光電子分光(XPS)は、数nmレベルの極表面の組成分析が行える表面分析手法です。 また、材料を構成する各元素の電子状態(化学結合・価数・混成・電子相関)も・・・
集束イオンビーム(FIB:Focused Ion Beam)装置は、加工位置精度が良く特定箇所の試料作製が可能であることから、様々な製品や材料のTEM試料作製に・・・
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