放射光HAXPESによる埋もれた界面の評価HAXPES Analysis for Buried Interface by Synchrotron Radiation
X線光電子分光(XPS)は、表面の組成・状態分析が可能であり、表面分析では不可欠な手法です。ラボ型XPS(Al Kα:1.5keV)では、3nm程度の極表面の評価に限られますが、外部施設を利用した硬X線光電子分光(HAXPES):8keVにより、多層構造や実デバイスに近いスタック構造の埋もれた界面など、より深い領域の評価が可能となります。
HAXPES:Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy (硬X線光電子分光)