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当社試験所は管理された環境と確かな手順による信頼性評価サービスをご提供します。標準規格のほかに、ご要望の仕様に基づいた評価条件にも対応します。半導体・電子パネル･･･
3次元X線顕微鏡(X線CT)は、対象物の内部を非破壊で観察する顕微鏡です。当社では、X線CTの受託分析サービスを行なっています。 一般的なX線透視観察装置と異な･･･
超音波顕微鏡は、非破壊で、観察対象内部の剥離・クラック・ボイド・異物などの欠陥を観察することができる手法です。
集束イオンビーム(FIB:Focused Ion Beam)装置は、集束したイオンビームを試料に照射しスキャンさせることで、指定箇所の加工や観察が可能です。加工･･･
EELSはEDSと異なり、元素情報だけではなく、元素の結合状態も判断することができます。LSIのコンタクト不良で観察された銅配線間の高抵抗箇所(コンタクト近傍)･･･
GaNデバイスにおいて、ゲート酸化膜への前工程由来成分(不純物)の拡散は、絶縁性不良の原因につながるため、その濃度分布や拡散源の特定が必要となります。今回当社で･･･
X線光電子分光(XPS)は、数nmレベルの極表面の組成分析が行える表面分析手法です。 また、材料を構成する各元素の電子状態(化学結合・価数・混成・電子相関)も･･･
集束イオンビーム(FIB:Focused Ion Beam)装置は、加工位置精度が良く特定箇所の試料作製が可能であることから、様々な製品や材料のTEM試料作製に･･･
SIMSによる深さ方向分析では、試料表面近傍の浅い領域においてスパッタ率が試料内部よりも高いために、クレーター深さから換算した場合の深さ軸は真値からのずれを生じ･･･
SiC MOSFET構造では、特性改善のためn基板とnドリフト層の間に数百nmオーダのnバッファ層が挿入されることがあります。nバッファ層の評価では、深さ方向分･･･
ゲート電極/ゲート絶縁膜界面の不純物の分布や結合状態などを調べるためには1nm以下の深さ方向分解能が必要とされます。このような場合、裏面(ゲート絶縁膜側)からの･･･
温度サイクル試験(TCT)は、電子部品の外部環境あるいは自己発熱により、温度が繰り返し変化する環境を想定し、温度変化による熱ストレスを与えて耐性を確認する環境試･･･
始めに電子線と電子レンズの関係について簡単に説明した後、明視野像と暗視野像についてご説明します。その後、明視野像と暗視野像を活用した実例をご紹介します。
ウェーハベベル部の成分評価は一般的にTEMやTOF-SIMSで行われていますが、既存の手法ではいずれも感度や定量に制限があり、微量の成分評価は困難とされてきまし･･･
カード型デバイス中の薄型集積回路チップ、パワー半導体素子、裏面入射型撮像素子などでは大口径ウェーハを薄研削加工することが多く、その残留応力がデバイスに与える影響･･･
表面実装部品の防湿梱包からリフローまでをシミュレートし、熱ストレス耐性を評価します。
GMR素子やMTJ素子(磁性金属多層膜を含むスピントロニクス素子)は、HDD装置の磁気ヘッドやMRAMへの実用化が進んでいます。このような磁気抵抗素子の特性は、･･･
トランジスタの微細化に伴い寄生抵抗の増加が問題になっています。中でもソース/ドレインのNiSi/Si界面における界面抵抗が占める割合は大きく、近年ではシリサイド･･･
X線は、非破壊かつ短時間で物質内部の状態を確認するのに適した性質をもつことから様々な場面で使用されています。 一方、X線と物質との相互作用により製品性能に影響が･･･
二次イオン質量分析(SIMS)は、ppbレベルの極微量元素を同定・定量できる非常に高感度な分析手法です。スパッタしながら測定することで、膜中の微量成分の深さ方向･･･
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