FOUP内汚染評価Evaluation of Spatial Contamination in FOUP

装置内ではウェーハの搬送において、プロセスチャンバー内の汚染の引きずり、ウェーハ自体に含まれる電極などの金属、装置からのダストなどコンタミネーションを発生する汚染源が多様です。ウェーハの外周部に汚染が見られる例も多く、FOUPのスロットなども清浄度管理が必要な状況が生じます。ウェーハ外周の局所、FOUP内全体または局所の汚染確認のための分析サービスをご提供します。

FOUP: Front Opening Unified Pod (前面開閉式300mmウェーハ用保管・搬送容器)

ウェーハ外周部の汚染分析

ベアシリコンウェーハだけでなく、パターン付ウェーハも、自動回収装置および拭き取り法により、局所の汚染を回収し、べベル部や任意の平坦部などのエリアの汚染状況を確認することが可能です。

ベアシリコンウェーハ
ベアシリコンウェーハ
金属膜付ウェーハ
金属膜付ウェーハ

FOUP内部の汚染分析

べベル部など、ウェーハ外周部の汚染はFOUP内の汚染とも関連が深い場合があります。内部の全体、または局所について、直接サンプリングを行います。また、FOUP内にウェーハを放置、あるいは、その他の吸着剤を用いることにより、接触部位だけでなく発生ガスの確認も可能です。FOSBも同様に対応可能です。

FOSB: Front Opening Shipping Box (300mmウェーハ用保管・搬送容器)

FOUP内部の汚染分析

サンプリング方法
内壁全体・・・純水・酸類・溶媒などを用いて、FOUP内全体の汚染成分を回収
吸着剤捕集・・・有機成分用吸着剤を投入し、内部の発生ガスを採取
ウェーハへの転写・・・清浄なウェーハを投入して、転写された汚染成分を回収
特定スロット・・・純水・酸類・溶媒などを用いて、任意のスロットの汚染成分を回収

有機不純物

  • 対象:有機溶剤成分・環状シロキサン・フタル酸エステル系成分・油分
  • 分析手法:GC/MS(ガスクロマトグラフィー質量分析)

イオン・メタル不純物

  • 対象:イオン成分 ⇒ F-,Cl-,NO2-,NO3-,SO42-,PO43-、ギ酸・酢酸・NH4+・アミン類など
  • 分析手法:IC(イオンクロマトグラフィー)
  • 対象:メタル成分 ⇒ Na,Fe,Cr,Cuなど
  • 分析手法:ICP-MS(誘導結合プラズマ質量分析)

[ 更新日:2022/03/30 ]

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