3DAP・STEM・SIMSによるLED複合分析3DAP (APT), SIMS and STEM Combination Analysis of LED Devices

化合物半導体は、発光デバイスや電子デバイスなどに幅広く用いられています。これらデバイスの開発において、構造・界面急峻性・結晶欠陥・不純物の分布や濃度などの制御は、デバイスの特性や信頼性向上に不可欠となっており、3DAP(APT)・STEM/EDS・SIMSを用いて複合的に分析しました。

3DAP(APT)・STEM/EDS・SIMS分析結果

アイランド構造を有する緑-黄色発光LEDを分析した結果、Mgアクセプタのクラスタ形成および拡散・結晶欠陥偏析・アイランド構造の形状が分かりました。

(本検討は、東京大学先端科学技術研究センター 杉山先生との共同研究により行われたものです)

STEM/EDS、SIMSおよび3DAP分析結果

アクセプタ:GaNをp型化する不純物
SLs:超格子
ADF: Annular Dark Field (環状暗視野)

[ 更新日:2022/03/30 ]

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