3DAPによるNb3Al超電導体の積層欠陥分析3DAP (APT) Analysis of Stacking Faults in Superconductor

次世代の超電導体と期待されているNb3Alは積層欠陥を有し、欠陥部の組成が超電導特性に大きな影響を及ぼしていると考えられています。Nb3Alの積層欠陥における組成を明らかにするため、3DAP(3次元アトムプローブ)測定を行いました。

Nb3Alの積層欠陥のTEM観察

Nb3Alの明視野像、左図赤丸部の回折パターン

回折パターン上に、積層欠陥によると考えられるストリーク(緑の矢印)が観察されます。
この結晶欠陥における組成比変化を3DAPで調査しました。

Nb3Alの積層欠陥の3DAP分析

Nb3Alのマススペクトル
Nb3Alのマススペクトル

AlNb由来のピークが観察されました。

Nb3Alの積層欠陥の3DAP分析

※データご提供元 : 国立研究開発法人 物質・材料研究機構 伴野信哉 様
※データ引用元文献 : N. Banno et al., “Microstructural observation of transformed Nb3Al Superconductors using TEM and Atom Probe Tomography,” IEEE Trans. Appl. Supercond., vol.24, no.3, Jun. 2014

[ 更新日:2022/03/30 ]

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