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SiCデバイスの需要は近年高まっており、SiCデバイスを開発する上で結晶欠陥やドーパント元素分布の評価は重要です。今回STEM観察と3DAP分析を同一試料で実施・・・
WebGLによる3DAPデモサイト操作説明
次世代の超電導体と期待されているNb3Alは積層欠陥を有し、欠陥部の組成が超電導特性に大きな影響を及ぼしていると考えられています。Nb3Alの積層欠陥における組・・・
3次元アトムプローブに関するQ&A
TEM/STEMは高分解能観察が可能であり、構造解析や結晶欠陥の観察・解析などに有用です。一方、局所的、3次元的な元素分布について、3DAP(3次元アトムプロー・・・
アトムプローブ(3DAP)分析では、これまで測定が難しかった導電性の低い物質や有機物への適用が世界的に進められています。今回、ほぼ絶縁物に近い鉱物の3DAP分析・・・
LEDデバイスの発光中心である量子活性井戸層(MQW)は、Inドープ層が積層された構造で、各ドープ層のIn濃度や分布が発光特性へ大きな影響を及ぼすことが知られて・・・
3DAP(3次元アトムプローブ)は、微小領域において原子レベルの空間分解能と高い検出感度を有し、得られたデータから任意領域の抽出・解析を行うことで、鉄鋼などの結・・・
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