ナノ構造解析

FIB加工によるTEM試料作製

集束イオンビーム(FIB:Focused Ion Beam)装置は、加工位置精度が良く特定箇所の試料作製が可能であることから、様々な製品や材料のTEM試料作製に･･･

透過電子顕微鏡における明視野像と暗視野像の活用

始めに電子線と電子レンズの関係について簡単に説明した後、明視野像と暗視野像についてご説明します。その後、明視野像と暗視野像を活用した実例をご紹介します。

3DAP・STEM・SIMSによるLED複合分析

化合物半導体は、発光デバイスや電子デバイスなどに幅広く用いられています。これらデバイスの開発において、構造・界面急峻性・結晶欠陥・不純物の分布や濃度などの制御は･･･

STEMと3DAPによるSiC MOSFET複合分析

SiCデバイスの需要は近年高まっており、SiCデバイスを開発する上で結晶欠陥やドーパント元素分布の評価は重要です。今回STEM観察と3DAP分析を同一試料で実施･･･

3DAPデモ操作説明

WebGLによる3DAPデモサイト操作説明

3DAPによるNb₃Al超電導体の積層欠陥分析

次世代の超電導体と期待されているNb3Alは積層欠陥を有し、欠陥部の組成が超電導特性に大きな影響を及ぼしていると考えられています。Nb3Alの積層欠陥における組･･･

3DAPのQ&A

3次元アトムプローブに関するQ&A

3次元アトムプローブ　デモンストレーション

3DAPとSTEMを用いた特定箇所の分析

TEM/STEMは高分解能観察が可能であり、構造解析や結晶欠陥の観察・解析などに有用です。一方、局所的、3次元的な元素分布について、3DAP(3次元アトムプロー･･･

鉱物のアトムプローブ分析

アトムプローブ(3DAP)分析では、これまで測定が難しかった導電性の低い物質や有機物への適用が世界的に進められています。今回、ほぼ絶縁物に近い鉱物の3DAP分析･･･

高感度STEM/EDSと3DAPによるLED解析

LEDデバイスの発光中心である量子活性井戸層(MQW)は、Inドープ層が積層された構造で、各ドープ層のIn濃度や分布が発光特性へ大きな影響を及ぼすことが知られて･･･

3次元アトムプローブ(3DAP)

3DAP(3次元アトムプローブ)は、微小領域において原子レベルの空間分解能と高い検出感度を有し、得られたデータから任意領域の抽出・解析を行うことで、鉄鋼などの結･･･

3DAPによるセラミックス材料の粒界分析

市販品セラミック焼結体(Al2O3)の粒界に着目し、偏析している元素やその量を3DAP(3次元アトムプローブ)を用いて評価しました。

3DAPによる駆動用磁石分析

駆動用磁石(ネオジム磁石)における厚さ数nmの粒界相に偏析する微量 元素を3DAP(3次元アトムプローブ)を用いて分析しました。

3DAPによるGaNエッチピット直下転位の分析

TEM/STEMは高分解能観察が可能であり、構造解析や結晶欠陥の観察・解析などに有用です。一方、局所的・3次元的な元素分布について、3DAP(3次元アトムプロー･･･

3DAPによる強磁性半導体の分析

強磁性半導体において磁気特性に強く影響する磁性元素のクラスタリング分布を3DAP(3次元アトムプローブ)を用いて分析します。

3DAPによるNiSi/Si接合の低抵抗化の解析

トランジスタの微細化に伴い寄生抵抗の増加が問題になっています。中でもソース/ドレインのNiSi/Si界面における界面抵抗が占める割合は大きく、近年ではシリサイド･･･

FIBによる裏面加工法

FIBにより半導体デバイス試料を表面側から加工した場合、内部構造材料のイオンミリングレート差により加工面に凹凸が発生し、特に硬い材料の直下は試料膜厚が厚くなるな･･･

3DAPによるナノワイヤLED分析

コアシェル型ナノワイヤLEDは、n-GaNナノワイヤコアとそれを囲む発光層(MQWs)およびp-GaN層で構成される低電力・高出力の発光デバイスです。複雑な微小･･･

3DAPとTEMによるFinFETデバイスの分析

FinFET(Fin Field-effect transistor)の微細構造をTEMと3DAP(3次元アトムプローブ)を用いて複合的に解析した事例をご紹介し･･･