微細構造解析

原子層堆積法によるTEM解析試料作製

原子層堆積法(ALD: Atomic Layer Deposition)は、1原子層ずつ成膜する技術です。 当社では主にTEM観察におけるナノ構造解析の保護膜･･･

3DAPによるナノワイヤLED分析

コアシェル型ナノワイヤLEDは、n-GaNナノワイヤコアとそれを囲む発光層(MQWs)およびp-GaN層で構成される低電力・高出力の発光デバイスです。複雑な微小･･･

3DAPとEBSDによる鉄鋼材料の分析

3DAP(3次元アトムプローブ)はナノサイズの原子配置を分析することが可能で、EBSD(電子後方散乱回折)は微小なサブミクロン領域の結晶方位解析を行うことが可能･･･

FIB加工による3DAP分析用試料作製

3DAP(3次元アトムプローブ)で測定を行うためには、分析対象となる試料を先端径数十nm程度に尖らせた針状に成形する必要があります。 通常この針状試料作製は、･･･

低加速電圧走査電子顕微鏡

低加速電圧走査電子顕微鏡は、電子線の加速エネルギーを下げることで二次電子の脱出深さを極浅くし、薄膜や表面汚染をより鮮明に観察することができます。また、低加速電圧･･･

3DAPによるSi酸化膜中のナノ粒子分析

3DAP(3次元アトムプローブ)は、ナノサイズの微小構造を分析することができるツールです。Si酸化膜中のナノ粒子の大きさなどについて、3次元的に定量分析・評価す･･･

低ダメージのイオンビーム加工

集束イオンビーム(FIB:Focused Ion Beam)装置は、集束したイオンビームを試料に照射しスキャンさせることで、指定箇所の加工や観察が可能です。加工･･･

STEM-EELSを用いた故障解析

EELSはEDSと異なり、元素情報だけではなく、元素の結合状態も判断することができます。LSIのコンタクト不良で観察された銅配線間の高抵抗箇所(コンタクト近傍)･･･

高感度STEM/EDSと3DAPによる鉄鋼材料の分析

鉄鋼材料の物理特性を理解するうえで、各結晶における組成情報が重要だと考えられています。ステンレス鋼(SUS329)のα相(フェライト相)とγ相(オーステナイト相･･･

FIB加工によるTEM試料作製

集束イオンビーム(FIB:Focused Ion Beam)装置は、加工位置精度が良く特定箇所の試料作製が可能であることから、様々な製品や材料のTEM試料作製に･･･

セラミックス材料の複合分析

セラミックス材料の特性を理解する上で、ナノからマイクロまでマルチスケールでの評価が必要です。市販のセラミックス材料(Al2O3・ZrO2・AlN)について、3D･･･

3DAP・STEM・SIMSによるLED複合分析

化合物半導体は、発光デバイスや電子デバイスなどに幅広く用いられています。これらデバイスの開発において、構造・界面急峻性・結晶欠陥・不純物の分布や濃度などの制御は･･･

STEMと3DAPによるSiC MOSFET複合分析

SiCデバイスの需要は近年高まっており、SiCデバイスを開発する上で結晶欠陥やドーパント元素分布の評価は重要です。今回STEM観察と3DAP分析を同一試料で実施･･･

透過電子顕微鏡における明視野像と暗視野像の活用

始めに電子線と電子レンズの関係について簡単に説明した後、明視野像と暗視野像についてご説明します。その後、明視野像と暗視野像を活用した実例をご紹介します。

3DAPによるNb₃Al超電導体の積層欠陥分析

次世代の超電導体と期待されているNb3Alは積層欠陥を有し、欠陥部の組成が超電導特性に大きな影響を及ぼしていると考えられています。Nb3Alの積層欠陥における組･･･

3次元アトムプローブ　デモンストレーション

3DAPとSTEMを用いた特定箇所の分析

TEM/STEMは高分解能観察が可能であり、構造解析や結晶欠陥の観察・解析などに有用です。一方、局所的、3次元的な元素分布について、3DAP(3次元アトムプロー･･･

鉱物のアトムプローブ分析

アトムプローブ(3DAP)分析では、これまで測定が難しかった導電性の低い物質や有機物への適用が世界的に進められています。今回、ほぼ絶縁物に近い鉱物の3DAP分析･･･

高感度STEM/EDSと3DAPによるLED解析

LEDデバイスの発光中心である量子活性井戸層(MQW)は、Inドープ層が積層された構造で、各ドープ層のIn濃度や分布が発光特性へ大きな影響を及ぼすことが知られて･･･

3次元アトムプローブ(3DAP)

3DAP(3次元アトムプローブ)は、微小領域において原子レベルの空間分解能と高い検出感度を有し、得られたデータから任意領域の抽出・解析を行うことで、鉄鋼などの結･･･